| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1082401 | SD1107BD | 100 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082402 | SD1107CHP | 100 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082403 | SD1107DD | 100 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082404 | SD1107HD | 100 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082405 | SD1107N | 100 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082406 | SD110OC04C | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082407 | SD110OC04L | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082408 | SD110OC08C | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082409 | SD110OC08L | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082410 | SD110OC12C | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082411 | SD110OC12L | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082412 | SD110OC16C | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082413 | SD110OC16L | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082414 | SD110OC20C | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082415 | SD110OC20L | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082416 | SD110OC25C | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082417 | SD110OC25L | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082418 | SD110OC30C | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082419 | SD110OC30L | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082420 | SD110OC32C | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082421 | SD110OC32L | Diode de récupération standard | International Rectifier |
| 1082422 | SD1112BD | 200 V, 7 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082423 | SD1112CHP | 200 V, 7 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082424 | SD1112DD | 200 V, 7 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082425 | SD1112HD | 200 V, 7 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082426 | SD1113BD | 200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082427 | SD1113CHP | 200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082428 | SD1113DD | 200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082429 | SD1113HD | 200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082430 | SD1117BD | 60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082431 | SD1117CHP | 60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082432 | SD1117DD | 60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082433 | SD1117HD | 60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082434 | SD1117N | 60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082435 | SD1122BD | 200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082436 | SD1122CHP | 200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082437 | SD1127 | RF transistor NPN | Microsemi |
| 1082438 | SD1127BD | 60 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement vertical D-MOS FET ultra faible fuite | Topaz Semiconductor |
| 1082439 | SD1127CHP | 60 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement vertical D-MOS FET ultra faible fuite | Topaz Semiconductor |
| 1082440 | SD1134 | UHF applications mobiles RF et micro-ondes TRANSISTORS | SGS Thomson Microelectronics |
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