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K4E171612D-J construit près: |
1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E171611D-J, K4E151612D-T, K4E151612D-J, K4E151611D-T, K4E151611D-J, |
Téléchargement K4E171612D-J datasheet de Samsung Electronic |
pdf 552 kb |
K4E171612D | Vue K4E171612D-J à notre catalogue | K4E171612D-T |