Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
598801 | K4E160812D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
598802 | K4E170411D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598803 | K4E170411D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598804 | K4E170411D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598805 | K4E170412D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598806 | K4E170412D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
598807 | K4E170412D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
598808 | K4E170811D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598809 | K4E170811D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598810 | K4E170811D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598811 | K4E170812D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598812 | K4E170812D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
598813 | K4E170812D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
598814 | K4E171611D | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598815 | K4E171611D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598816 | K4E171611D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598817 | K4E171612D | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598818 | K4E171612D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
598819 | K4E171612D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
598820 | K4E640412D | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598821 | K4E640412D-JC_L | 16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 4K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
598822 | K4E640412D-TC_L | 16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 4K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
598823 | K4E640812B | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598824 | K4E640812B-JC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598825 | K4E640812B-JC-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598826 | K4E640812B-JC-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598827 | K4E640812B-JCL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598828 | K4E640812B-JCL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598829 | K4E640812B-JCL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598830 | K4E640812B-TC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598831 | K4E640812B-TC-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598832 | K4E640812B-TC-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598833 | K4E640812B-TCL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598834 | K4E640812B-TCL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598835 | K4E640812B-TCL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598836 | K4E640812C | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598837 | K4E640812C-JC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598838 | K4E640812C-JC-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598839 | K4E640812C-JC-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598840 | K4E640812C-JCL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
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