Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
598801 | K4E160812D-F | 2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K. | Samsung Electronic |
598802 | K4E170411D | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598803 | K4E170411D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización. | Samsung Electronic |
598804 | K4E170411D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización. | Samsung Electronic |
598805 | K4E170412D | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598806 | K4E170412D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. | Samsung Electronic |
598807 | K4E170412D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. | Samsung Electronic |
598808 | K4E170811D | ESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598809 | K4E170811D-B | 2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización. | Samsung Electronic |
598810 | K4E170811D-F | 2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización. | Samsung Electronic |
598811 | K4E170812D | ESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598812 | K4E170812D-B | 2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. | Samsung Electronic |
598813 | K4E170812D-F | 2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. | Samsung Electronic |
598814 | K4E171611D | ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598815 | K4E171611D-J | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización. | Samsung Electronic |
598816 | K4E171611D-T | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización. | Samsung Electronic |
598817 | K4E171612D | ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598818 | K4E171612D-J | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. | Samsung Electronic |
598819 | K4E171612D-T | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. | Samsung Electronic |
598820 | K4E640412D | ESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598821 | K4E640412D-JC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V, 4K refrescar ciclo. | Samsung Electronic |
598822 | K4E640412D-TC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V, 4K refrescar ciclo. | Samsung Electronic |
598823 | K4E640812B | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598824 | K4E640812B-JC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
598825 | K4E640812B-JC-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
598826 | K4E640812B-JC-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
598827 | K4E640812B-JCL-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
598828 | K4E640812B-JCL-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
598829 | K4E640812B-JCL-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
598830 | K4E640812B-TC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
598831 | K4E640812B-TC-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
598832 | K4E640812B-TC-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
598833 | K4E640812B-TCL-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
598834 | K4E640812B-TCL-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
598835 | K4E640812B-TCL-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
598836 | K4E640812C | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598837 | K4E640812C-JC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
598838 | K4E640812C-JC-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
598839 | K4E640812C-JC-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
598840 | K4E640812C-JCL-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
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