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K4E170812D-B Fabricado cerca: |
2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. Otros con el mismo archivo para el datasheet: K4E160811D-F, K4E160811D-B, K4E160812D-B, K4E170812D-F, K4E170811D-F, |
Transferencia Directa K4E170812D-B datasheet de Samsung Electronic |
pdf 258 kb |
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