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| K4E171612D-T construit près: | 
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 | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E171612D-J, K4E171611D-J, K4E151612D-T, K4E151612D-J, K4E151611D-T, |
Téléchargement K4E171612D-T datasheet de Samsung Electronic |
pdf 552 kb |
| K4E171612D-J | Vue K4E171612D-T à notre catalogue | K4E640412D |