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IRF820 Vorbei Hergestellt: |
N-CHANNEL Verbesserung-Modus Silikon-Gatter TMOS Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF823, IRF821, |
Download IRF820 datasheet von Motorola |
pdf 146 kb |
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N - FÜHRUNG 500V - 2.5 W - 2.5 A - TO-220 PowerMESH Mosfet | Download IRF820 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 97 kb |
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N-CHANNEL 500V - 2.5 OHM - 4A - TO-220 POWERMESH II MOSFET | Download IRF820 datasheet von ST Microelectronics |
pdf 265 kb |
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2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Download IRF820 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF822, |
Download IRF820 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 327 kb |
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ENERGIE MOSFET | Download IRF820 datasheet von BayLinear |
pdf 40 kb |
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2.5A/ 500V/ 3.000 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF820 datasheet von Intersil |
pdf 59 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. | Download IRF820 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
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500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF820PBF, |
Download IRF820 datasheet von International Rectifier |
pdf 175 kb |
IRF82 | Ansicht IRF820 zu unserem Katalog | IRF820A |