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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| MJE180 Vorbei Hergestellt: | 
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 | 60 V, 3 A, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor Andere mit der gleichen Akte für datasheet: MJE172, MJE181, MJE182, MJE200, |
Download MJE180 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 199 kb |
 | 12.500W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 40V Vceo, 3.000A Ic, 50-250 hFE. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: MJE170, MJE171, |
Download MJE180 datasheet von Continental Device India Limited |
pdf 67 kb |
 | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Download MJE180 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 54 kb |
 | ENERGIE TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | Download MJE180 datasheet von MOSPEC Semiconductor |
pdf 234 kb |
 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Download MJE180 datasheet von Central Semiconductor |
pdf 72 kb |
| MJE172STU | Ansicht MJE180 zu unserem Katalog | MJE18002 |