|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 29107 | 29108 | 29109 | 29110 | 29111 | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | 29116 | 29117 | >>
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1164441STD83003ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1164442STD83003HIGH VOLTAGE schnell schalt NPN-LeistungstransistorsSGS Thomson Microelectronics
1164443STD83003-1ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1164444STD83003T4ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1164445STD830CP40Komplementäre Transistorpaar in einem PaketST Microelectronics
1164446STD840DN40Dual NPN Hochspannungstransistoren in einem einzigen PaketST Microelectronics
1164447STD845DN40Die Transistoren, Strom Bipolar, High VoltageST Microelectronics
1164448STD85N3LH5N-Kanal-30 V, 0,0042 Ohm, 80 A, DPAK, TO-220, IPAKST Microelectronics
1164449STD86N3LH5N-Kanal-30 V, 0,0045 Ohm, 80 A, DPAK STripFET V-Leistungs-MOSFETST Microelectronics
1164450STD882NPN Silikon-TransistorAUK Corp
1164451STD882DNPN Silikon-TransistorAUK Corp
1164452STD888MITTLERER GEGENWÄRTIGER HOHE LEISTUNG NIEDERSPANNUNG PNP TRANSISTORST Microelectronics
1164453STD888T4MITTLERER GEGENWÄRTIGER HOHE LEISTUNG NIEDERSPANNUNG PNP TRANSISTORST Microelectronics
1164454STD8N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1164455STD8N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1164456STD8N06N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1164457STD8N10LN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOSTRANSISTORST Microelectronics
1164458STD8N10LN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOSTRANSISTORST Microelectronics
1164459STD8N10LN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOSTRANSISTORST Microelectronics



1164460STD8N65M5N-Kanal 650 V, 0,56 Ohm, 7 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs im DPAKST Microelectronics
1164461STD8N80K5N-Kanal 800 V, 0,8 Ohm typ., 6 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
1164462STD8NF25N-Kanal 250 V, 318 mOhm typ. 8 A, STripFET (TM) II Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
1164463STD8NM50NN-Kanal 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in DPAKST Microelectronics
1164464STD8NS25N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A DPAKST Microelectronics
1164465STD8NS25N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164466STD8NS25-1N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A DPAKST Microelectronics
1164467STD8NS25T4N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A DPAKST Microelectronics
1164468STD901THochspannungs-NPN Darlington-Transistor für ZündspuleST Microelectronics
1164469STD90NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0052 OHM - 60A DPAK STRIPFET III ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164470STD90NH02L-1N-CHANNEL 24V - 0.0052 OHM - 60A DPAK/IPAK STRIPFET III ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164471STD90NH02LT4N-CHANNEL 24V - 0.0052 OHM - 60A DPAK/IPAK STRIPFET III ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164472STD93003ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING PNPST Microelectronics
1164473STD93003HIGH VOLTAGE schnell schalt PNP-LeistungstransistorSGS Thomson Microelectronics
1164474STD93003-1ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING PNPST Microelectronics
1164475STD93003T4ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING PNPST Microelectronics
1164476STD95N2LH5N-Kanal-25 V, 0,0038 Ohm, 80 A - DPAK, Leistungs-MOSFETsST Microelectronics
1164477STD95N4F3N-Kanal-40 V, 5,0 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFETST Microelectronics
1164478STD95N4LF3N-Kanal-40 V, 5 mOhm, 80 A STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
1164479STD95NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0039 Ohm - 80A DPAK ULTRA NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET MosfetST Microelectronics
1164480STD95NH02L-1N-CHANNEL 24V - 0.0039 Ohm - 80A DPAK ULTRA NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET MosfetST Microelectronics
Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 29107 | 29108 | 29109 | 29110 | 29111 | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | 29116 | 29117 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com