|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | 29116 | 29117 | 29118 | 29119 | 29120 | 29121 | 29122 | >>
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1164641STE139N65M5N-Kanal 650 V, 0.014 Ohm typ., 130 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in ISOTOP PaketST Microelectronics
1164642STE140NF20DN-Kanal 200 V, 10 mOhm typ., 140 A STripFET (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) in einem Paket ISOTOPST Microelectronics
1164643STE145N65M5N-Kanal 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFET in einem Paket ISOTOPST Microelectronics
1164644STE15NA100N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
1164645STE15NA100N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1164646STE180N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1164647STE180N10N - FÜHRUNG 100V - mOhm 5.5 - 180A - ISOTOP ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164648STE180N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1164649STE180NE10N-CHANNEL 100V - 4.5 MOHM -180A ISOTOP STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164650STE180NE10N-CHANNEL 100V - mOhm 4.5 - 180A ISOTOP STripFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164651STE180NE10N-CHANNEL 100V - 4.5 MOHM -180A ISOTOP STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164652STE200065 X 128 EINZELNER SPANLCD KONTROLLEUR/TREIBERSGS Thomson Microelectronics
1164653STE200165 X 128 EINZELNER SPANLCD KONTROLLEUR/TREIBERSGS Thomson Microelectronics
1164654STE200281 X 128 EINZELNER SPAN Lcd CONTROLLER/DRIVERST Microelectronics
1164655STE2002DIE181 X 128 EINZELNER SPAN Lcd CONTROLLER/DRIVERST Microelectronics
1164656STE2002DIE181 X 128 Single-Chip-LCD-Controller / TreiberSGS Thomson Microelectronics
1164657STE2002DIE281 X 128 EINZELNER SPAN Lcd CONTROLLER/DRIVERST Microelectronics
1164658STE2002DIE281 X 128 Single-Chip-LCD-Controller / TreiberSGS Thomson Microelectronics
1164659STE2004102 X 65 EINZELNER SPAN Lcd CONTROLLER/DRIVERST Microelectronics



1164660STE2004DIE2102 X 65 EINZELNER SPAN Lcd CONTROLLER/DRIVERST Microelectronics
1164661STE24NA100N - FÜHRUNG 1000V - 0.35W - 24A - ISOTOP, SCHNELLER ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1164662STE250N06N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKETST Microelectronics
1164663STE250N06N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKETST Microelectronics
1164664STE250N06N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKETST Microelectronics
1164665STE250N06Länge / Höhe 12,2 mm Breite 25,4 mm Tiefe 38 mm Verlustleistung 450 W Transistorpolung N-Kanal-Zentren zur Festsetzung 31,6 mm Aktuelle Id Forts. 250 A Strom Idm Impuls 750 A Spannung Isolierung 2,5 kVSGS Thomson Microelectronics
1164666STE250NS10N-CHANNEL 100V - 0.0045 OHM - 220A ISOTOP STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164667STE250NS10N-CHANNEL 100V - 0.0045 OHM - 220A ISOTOP STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164668STE26N50N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKETST Microelectronics
1164669STE26N50N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKETST Microelectronics
1164670STE26N50N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKETST Microelectronics
1164671STE26NA90N - FÜHRUNG 900V - 0.25 Ohm - 26A - ISOTOP FASTEN ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1164672STE26NA90N-CHANNEL 900V - 0.25 OHM - 26A - ISOTOP FASTEN ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164673STE30NK90ZN-CHANNEL 900V - 0.25 OHM - 30A ISOTOP ZENER-PROTECTED SUPERMESH™ ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164674STE34NK80ZN-CHANNEL 800V - 0.20 OHM - 32A ISOTOP ZENER-PROTECTED SUPERMESH™ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164675STE36N50N lenken Verbesserung Modus-Energie MOS Transistor im Isotop PaketST Microelectronics
1164676STE38NB50N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUSPOWERMESH MOSFETST Microelectronics
1164677STE38NB50N - FÜHRUNG 500V - 0.11 Ohm - 38A - ISOTOP PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1164678STE38NB50FN-CHANNEL 500V - 0.11 OHM - 38A - ISOTOP POWERMESH MOSFETST Microelectronics
1164679STE38NB50FN - FÜHRUNG 500V - 0.11 Ohm - 38A - ISOTOP PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1164680STE400PSTE400P - 4 SCHNELLER ETHERNET-LAUTSPRECHEREMPFÄNGER DES TOR-10/100/PHY DATASHEETSGS Thomson Microelectronics
Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | 29116 | 29117 | 29118 | 29119 | 29120 | 29121 | 29122 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com