| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1175841 | STP19N06L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175842 | STP19N06L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175843 | STP19N06L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175844 | STP19N06LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175845 | STP19N06LFI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175846 | STP19N06LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175847 | STP19NB20 | N-CHANNEL 200V 0.5 OHM19A TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175848 | STP19NB20 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175849 | STP19NB20 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUSPOWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175850 | STP19NB20FP | N-CHANNEL 200V 0.5 OHM19A TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175851 | STP19NB20FP | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUSPOWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175852 | STP19NF20 | N-Kanal 200 V, 0,15 Ohm typ. 15 A MESH OVERLAY (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175853 | STP19NM50N | N-Kanal 500 V, 0,2 Ohm, 14 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175854 | STP1N105K3 | N-Kanal 1050 V, 8 Ohm typ. 1,4 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175855 | STP200NF03 | N-CHANNEL 30V - 0.0032 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175856 | STP200NF03 | N-Kanal 30V - 0,0032 Ohm - 120A D2PAK / I2PAK / TO-220-Leistungs-MOSFET STripFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175857 | STP200NF04 | N-CHANNEL 40V - 120A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175858 | STP200NF04L | N-CHANNEL 40V 0,003 Ohm 120A TO-220 STripFET II MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175859 | STP20N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175860 | STP20N06 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175861 | STP20N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175862 | STP20N06FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175863 | STP20N06FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175864 | STP20N06FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175865 | STP20N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175866 | STP20N10 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175867 | STP20N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175868 | STP20N10FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175869 | STP20N10FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175870 | STP20N10L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175871 | STP20N10L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175872 | STP20N10L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175873 | STP20N10LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175874 | STP20N10LFI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175875 | STP20N10LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175876 | STP20N20 | N-CHANNEL 200V 0.10 Ohm 18A TO-220/TO-220FP/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175877 | STP20N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.160 Ohm typ. 18 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175878 | STP20N95K5 | N-Kanal 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 Eine Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175879 | STP20NE06 | N-CHANNEL 60V - 0.06 OHM - 20A TO-220/TO-220FP STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175880 | STP20NE06 | N - FÜHRUNG 60V - 0.06 Ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
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