| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1180921 | STW240NF55 | N-CHANNEL 55V - 0.0027 OHM - 120A TO-247 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180922 | STW24N60DM2 | N-Kanal 600 V, 0.175 Ohm typ. 18 A FDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180923 | STW24N60M2 | N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm typ. 18 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180924 | STW24NM60N | N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II Power MOSFET TO-247 | ST Microelectronics |
| 1180925 | STW25N80K5 | N-Kanal 800 V, 0,19 Ohm typ. 19,5 A SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180926 | STW25N95K3 | N-Kanal 950 V, 0,32 Ohm, 22 A, TO-247 SuperMESH3 (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180927 | STW25NM50N | N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ohm - 21.5 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh Mosfet | ST Microelectronics |
| 1180928 | STW25NM60N | N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh Mosfet | ST Microelectronics |
| 1180929 | STW25NM60ND | N-Kanal 600 V, 0,13 Ohm typ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180930 | STW26NM50 | N-CHANNEL 500V - 0.10 OHM - 26A TO-247 ZENER-PROTECTED MDMESH ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180931 | STW26NM50 | N-CHANNEL 500V 0.10 ENERGIE MOSFET DES OHM-26A TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180932 | STW26NM60 | N-CHANNEL 600V - 0.125 OHM - 26A TO-247 ZENER-PROTECTED MDMESH ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180933 | STW26NM60 | N-CHANNEL 600V 0.125 ENERGIE MOSFET DES OHM-26A TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180934 | STW26NM60N | N-Kanal 600 V, 0.135 Ohm typ. 20 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180935 | STW26NM60ND | N-Kanal 600 V, 0.145 Ohm typ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180936 | STW27NM60ND | N-Kanal 600 V, 0,13 Ohm, 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-247 | ST Microelectronics |
| 1180937 | STW28N60M2 | N-Kanal 600 V, 0.135 Ohm typ. 22 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180938 | STW28NK60Z | N-CHANNEL 600V 0.155 OHM27A TO-247 Zener-Geschützter SuperMesh Mosfet | ST Microelectronics |
| 1180939 | STW28NM50N | N-Kanal 500 V, 0.135 Ohm typ. 21 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180940 | STW28NM60ND | N-Kanal 600 V, 0.120 Ohm typ. 24 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180941 | STW29NK50Z | N-CHANNEL 500 V - 0.105 Ohm - 31A TO-247 Zener-Geschützter SuperMESH Mosfet | ST Microelectronics |
| 1180942 | STW29NK50ZD | N-CHANNEL 500V - 0.11 OHM - 29A TO-247 FASTEN DIODE SUPERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180943 | STW30N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET TO-247 | ST Microelectronics |
| 1180944 | STW30NF20 | N-Kanal 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, TO-247 STripFET (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180945 | STW30NM60D | N-CHANNEL 600V - 0.125 OHM - 30A TO-247 FASTEN DIODE MDMESH™ MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180946 | STW3100 | LAUTSPRECHEREMPFÄNGER-MODUL | ST Microelectronics |
| 1180947 | STW3100E1/LF | LAUTSPRECHEREMPFÄNGER-MODUL | ST Microelectronics |
| 1180948 | STW3100E2/LF | LAUTSPRECHEREMPFÄNGER-MODUL | ST Microelectronics |
| 1180949 | STW3101 | LAUTSPRECHEREMPFÄNGER-MODUL | ST Microelectronics |
| 1180950 | STW3101E1/LF | LAUTSPRECHEREMPFÄNGER-MODUL | ST Microelectronics |
| 1180951 | STW31N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180952 | STW32N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247 | ST Microelectronics |
| 1180953 | STW32NM50N | N-Kanal 500 V, 0,1 Ohm typ. 22 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180954 | STW33N20 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180955 | STW33N20 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180956 | STW33N20 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180957 | STW33N60M2 | N-Kanal 600 V, 0.108 Ohm typ. 26 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180958 | STW34N65M5 | N-Kanal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180959 | STW34NB20 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUSPOWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180960 | STW34NM60N | N-Kanal 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-247 | ST Microelectronics |
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