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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1181041STW6NA90N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1181042STW6NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1181043STW6NB100N-CHANNEL 1000V - 2.3 OHM - 5.4A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
1181044STW6NB100N - FÜHRUNG 1000V - 2.3W - 5.4A - TO-247, PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1181045STW6NB90N - FÜHRUNG 900V - 1.7 Ohm - 6.3A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1181046STW6NB90N-CHANNEL MOSFETST Microelectronics
1181047STW6NC90ZN-CHANNEL 900V 2.1OHM 5.2A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETST Microelectronics
1181048STW6NC90ZN-CHANNEL 900V 2.1OHM 5.2A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1181049STW70N10F4N-Kanal 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET (TM) DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-247ST Microelectronics
1181050STW70N60M2N-Kanal 600 V, 0.031 Ohm typ. 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181051STW75N15N-CHANNEL 150V 0.02 GATTER-AUFLADUNG STripFET Mosfet DES OHM-75A TO-220/D2PAK/TO-247™NIEDRIGERST Microelectronics
1181052STW75NF20N-Kanal 200 V, 0.028 Ohm typ. 75 A STripFET (TM) Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181053STW75NF30N-Kanal 300 V, 0.037 Î ©, 60 A, TO-247 geringe Gate-Ladung STripFETÍ ?? 2; 2; Leistungs-MOSFETST Microelectronics
1181054STW77N65M5N-Kanal 650 V, 0.033 Ohm, 69 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET TO-247ST Microelectronics
1181055STW78N65M5Automotive-N-Kanal 650 V, 0.024 Ohm typ. 69 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFET in einem TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181056STW7N95K3N-Kanal 950 V, 1,1 Ohm, 7,2 A, TO-247, Z-geschützten SuperMESH3; Leistungs-MOSFETST Microelectronics
1181057STW7NA100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1181058STW7NA100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1181059STW7NA100N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics



1181060STW7NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1181061STW7NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1181062STW7NA80N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1181063STW7NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1181064STW7NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1181065STW7NA90N - FÜHRUNG 900V - 1.05 Ohm - 7A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1181066STW7NB80N-CHANNEL 800V - 1.6 OHM - 6.5A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
1181067STW7NB80N-CHANNEL 800V - 1.6 Ohm - 6.5A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1181068STW7NC80ZN-CHANNEL 800V 1.5OHM 6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH MOSFETST Microelectronics
1181069STW7NC80ZN-CHANNEL 800V 1.5OHM 6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1181070STW7NC90ZN-CHANNEL 900V 1.55 OHM6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETST Microelectronics
1181071STW7NC90ZN-CHANNEL 900V 1.55 OHM6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1181072STW7NK90ZN-CHANNEL 900V - 1.56W - 5.8A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1181073STW80N06-10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1181074STW80N06-10N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-"ULTRA HOHE DICHTE-" ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1181075STW80N06-10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1181076STW80NE06-10N-CHANNEL 60V 0.0085 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 STRIPFETST Microelectronics
1181077STW80NE06-10N - FÜHRUNG 60V - 0.0085 Ohm - 80A - TO-247 STripFET?OWER MosfetSGS Thomson Microelectronics
1181078STW80NE06-10N-CHANNEL 60V 0.0085 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1181079STW80NF06N-CHANNEL 60V - 0.0065 OHM - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STRIPFET™ II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1181080STW80NF10N-CHANNEL 100V 0.012 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 NIEDRIGERST Microelectronics
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