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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
315241CM-1429PWB SchaltplanSamsung Electronic
315242CM-1829PWB SchaltplanSamsung Electronic
315243CM-2Führung 8x8 CobraNet ModulCirrus Logic
315244CM-2Führung 8x8 CobraNet ModulCirrus Logic
315245CM-2H8Hohes Niveau-Minidoppelt-Ausgeglichener Mischer 10-1000 MHZSirenza Microdevices
315246CM-99115Fachmann zum Hifi waagerecht ausgerichteten VerkleinerungTransformatoretc
315247CM10Geformte Mini-DyadeClare Inc
315248CM10-2285Geformte Mini-DyadeClare Inc
315249CM10-2286Geformte Mini-DyadeClare Inc
315250CM10-2288Geformte Mini-DyadeClare Inc
315251CM10-2289Geformte Mini-DyadeClare Inc
315252CM10-2308Geformte Mini-DyadeClare Inc
315253CM10-2339Geformte Mini-DyadeClare Inc
315254CM1000HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 bis 800 Volt STROM - 10 bis 35 Ampere)Panjit International Inc
315255CM1000HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKENGLEICHRICHTERTRSYS
315256CM100050 V, 10 A, HochstromsiliziumbrückengleichTRANSYS Electronics Limited
315257CM1000DU-34NFHOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCHMitsubishi Electric Corporation
315258CM1000HA-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315259CM1000HA-24HIGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation



315260CM1000HA-24HEinzelne IGBTMOD 1000 Volt Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
315261CM1000HA-28HIGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
315262CM1000HA-28HEinzelne IGBTMOD 1000 Volt Amperes/1400Powerex Power Semiconductors
315263CM1001HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 bis 800 Volt STROM - 10 bis 35 Ampere)Panjit International Inc
315264CM1001HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKENGLEICHRICHTERTRSYS
315265CM1001100 V, 10 A, HochstromsiliziumbrückengleichTRANSYS Electronics Limited
315266CM1001-7RKonverter 50 Watt-DC-DCPower-One
315267CM1002HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 bis 800 Volt STROM - 10 bis 35 Ampere)Panjit International Inc
315268CM1002HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKENGLEICHRICHTERTRSYS
315269CM1002200 V, 10 A, HochstromsiliziumbrückengleichTRANSYS Electronics Limited
315270CM1004HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 bis 800 Volt STROM - 10 bis 35 Ampere)Panjit International Inc
315271CM1004HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKENGLEICHRICHTERTRSYS
315272CM1004400 V, 10 A, HochstromsiliziumbrückengleichTRANSYS Electronics Limited
315273CM1006HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 bis 800 Volt STROM - 10 bis 35 Ampere)Panjit International Inc
315274CM1006HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKENGLEICHRICHTERTRSYS
315275CM1006600 V, 10 A, HochstromsiliziumbrückengleichTRANSYS Electronics Limited
315276CM1008HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 bis 800 Volt STROM - 10 bis 35 Ampere)Panjit International Inc
315277CM1008HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKENGLEICHRICHTERTRSYS
315278CM1008800 V, 10 A, HochstromsiliziumbrückengleichTRANSYS Electronics Limited
315279CM100BU-12HIGBT Module: 600VMitsubishi Electric Corporation
315280CM100BU-12HIGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
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