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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
686241M29DW128F70NF6E128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686242M29DW128F70NF6F128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686243M29DW128F70NF6T128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686244M29DW128F70ZA1128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686245M29DW128F70ZA1E128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686246M29DW128F70ZA1F128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686247M29DW128F70ZA1T128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686248M29DW128F70ZA6128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686249M29DW128F70ZA6E128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686250M29DW128F70ZA6F128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686251M29DW128F70ZA6T128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
686252M29DW323GRELLE NOCH HOHE DICHTE U. VERBRAUCHERST Microelectronics
686253M29DW323DBBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
686254M29DW323DBBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK, AUFLADUNG BLOCK) 3VSGS Thomson Microelectronics
686255M29DW323DB70N132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686256M29DW323DB70N132 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686257M29DW323DB70N1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686258M29DW323DB70N1E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686259M29DW323DB70N1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics



686260M29DW323DB70N1F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686261M29DW323DB70N1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686262M29DW323DB70N1T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686263M29DW323DB70N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
686264M29DW323DB70N632 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686265M29DW323DB70N6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
686266M29DW323DB70N6E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686267M29DW323DB70N6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686268M29DW323DB70N6F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686269M29DW323DB70N6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
686270M29DW323DB70N6T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686271M29DW323DB70ZA132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686272M29DW323DB70ZA132 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686273M29DW323DB70ZA1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686274M29DW323DB70ZA1E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686275M29DW323DB70ZA1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686276M29DW323DB70ZA1F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686277M29DW323DB70ZA1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686278M29DW323DB70ZA1T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686279M29DW323DB70ZA632 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686280M29DW323DB70ZA632 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
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