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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
686321M29DW323DB90ZA1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686322M29DW323DB90ZA1E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686323M29DW323DB90ZA1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686324M29DW323DB90ZA1F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686325M29DW323DB90ZA1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686326M29DW323DB90ZA1T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686327M29DW323DB90ZA632 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686328M29DW323DB90ZA632 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686329M29DW323DB90ZA6E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686330M29DW323DB90ZA6E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686331M29DW323DB90ZA6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686332M29DW323DB90ZA6F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686333M29DW323DB90ZA6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686334M29DW323DB90ZA6T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686335M29DW323DB90ZE132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686336M29DW323DB90ZE132 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686337M29DW323DB90ZE1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686338M29DW323DB90ZE1E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686339M29DW323DB90ZE1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics



686340M29DW323DB90ZE1F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686341M29DW323DB90ZE1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686342M29DW323DB90ZE1T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686343M29DW323DB90ZE632 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686344M29DW323DB90ZE632 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686345M29DW323DB90ZE6E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686346M29DW323DB90ZE6E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686347M29DW323DB90ZE6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686348M29DW323DB90ZE6F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686349M29DW323DB90ZE6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686350M29DW323DB90ZE6T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686351M29DW323DTBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
686352M29DW323DTBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK, AUFLADUNG BLOCK) 3VSGS Thomson Microelectronics
686353M29DW323DT70N132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686354M29DW323DT70N132 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686355M29DW323DT70N1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686356M29DW323DT70N1E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686357M29DW323DT70N1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686358M29DW323DT70N1F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686359M29DW323DT70N1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686360M29DW323DT70N1T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
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