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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
783081MBS2Brücke: StandardTaiwan Semiconductor
783082MBS28A28-Lead Verdünnen Kleines Umreiß-Paket, Schreiben INational Semiconductor
783083MBS4Brücke: StandardTaiwan Semiconductor
783084MBS4991Silikon Umkehrbare Switches(Diode Thyristoren)Motorola
783085MBS4991-DSilikon-Umkehrbare Schalter-Diode ThyristorenON Semiconductor
783086MBS4992Silikon Umkehrbare Switches(Diode Thyristoren)Motorola
783087MBS4993Silikon Umkehrbare Switches(Diode Thyristoren)Motorola
783088MBS6Brücke: StandardTaiwan Semiconductor
783089MBS8Brücke: StandardTaiwan Semiconductor
783090MBT2222TRANSISTOREN DER SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTOR-N-P-Netc
783091MBT2222ATRANSISTOREN DER SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTOR-N-P-Netc
783092MBT2222ADW1T1Universeller TransistorON Semiconductor
783093MBT2222ADW1T1-DUniverselles Silikon Des Transistor-NPNON Semiconductor
783094MBT35200Hoher gegenwärtiger Oberflächeneinfassung PNP Silikon-SchaltungTransistor für Last Management in den beweglichen AnwendungenON Semiconductor
783095MBT35200Hoher gegenwärtiger Oberflächeneinfassung PNP Silikon-SchaltungTransistor für Last Management in den beweglichen AnwendungenON Semiconductor
783096MBT35200MT1Hoher gegenwärtiger Oberflächeneinfassung PNP Silikon-SchaltungTransistor für Last Management in den beweglichen AnwendungenON Semiconductor
783097MBT35200MT1Hoher gegenwärtiger Oberflächeneinfassung PNP Silikon-SchaltungTransistor für Last Management in den beweglichen AnwendungenON Semiconductor
783098MBT35200MT1-DHoher gegenwärtiger Oberflächeneinfassung PNP Silikon-SchaltungTransistor für Last Management in den beweglichen AnwendungenON Semiconductor



783099MBT3904DW1Universelle VerdoppelungtransistorenON Semiconductor
783100MBT3904DW1T1Universelle VerdoppelungtransistorenLeshan Radio Company
783101MBT3904DW1T1Universelle VerdoppelungtransistorenON Semiconductor
783102MBT3904DW1T1-DUniverseller VerdoppelungtransistorON Semiconductor
783103MBT3904DW1T1GUniverselle VerdoppelungtransistorenON Semiconductor
783104MBT3904DW1T3Universelle VerdoppelungtransistorenON Semiconductor
783105MBT3904DW2T1Universelle VerdoppelungtransistorenON Semiconductor
783106MBT3904DW2T1GUniverselle VerdoppelungtransistorenON Semiconductor
783107MBT3906DWUniverselles Verdoppelungsilikon Des Transistor-PNP+PNPetc
783108MBT3906DW1Universelle VerdoppelungtransistorenON Semiconductor
783109MBT3906DW1T1Universelle VerdoppelungtransistorenLeshan Radio Company
783110MBT3906DW1T1Universelle VerdoppelungtransistorenON Semiconductor
783111MBT3906DW1T1-DUniverseller VerdoppelungtransistorON Semiconductor
783112MBT3946DWUniverseller Verdoppelungtransistoretc
783113MBT3946DW1T1Universelle VerdoppelungtransistorenLeshan Radio Company
783114MBT3946DW1T1Ergänzende Universal TransistorON Semiconductor
783115MBT3946DW1T1-DUniverseller VerdoppelungtransistorON Semiconductor
783116MBT3946DW1T1GUniverseller VerdoppelungtransistorON Semiconductor
783117MBT3946DW1T2Universeller VerdoppelungtransistorON Semiconductor
783118MBT3946DW1T2GUniverseller VerdoppelungtransistorON Semiconductor
783119MBT5401TRANSISTOR DES SILIKON-P-N-P HIGH-VOLTAGEetc
783120MBT6429DW1T1Verstärker-TransistorenON Semiconductor
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