| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 601 | SMAJ170A | 170.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 602 | SMBJ100 | 100.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 603 | SMBJ100A | 100.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 604 | SMBJ110 | 110.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 605 | SMBJ110A | 110.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 606 | SMBJ120 | 120.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 607 | SMBJ120A | 120.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 608 | SMBJ130 | 130.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 609 | SMBJ130A | 130.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 610 | SMBJ150 | 150.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 611 | SMBJ150A | 150.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 612 | SMBJ160 | 160.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 613 | SMBJ160A | 160.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 614 | SMBJ170 | 170.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 615 | SMBJ170A | 170.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 616 | SMCJ100 | 100.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 617 | SMCJ100A | 100.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 618 | SMCJ110 | 110.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 619 | SMCJ110A | 110.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 620 | SMCJ120 | 120.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 621 | SMCJ120A | 120.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 622 | SMCJ130 | 130.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 623 | SMCJ130A | 130.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 624 | SMCJ150 | 150.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 625 | SMCJ150A | 150.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 626 | SMCJ160 | 160.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 627 | SMCJ160A | 160.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 628 | SMCJ170 | 170.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 629 | SMCJ170A | 170.00V; 1 mA; 1500W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 630 | SMDJ100 | 100.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 631 | SMDJ100A | 100.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 632 | SMDJ110 | 110.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 633 | SMDJ110A | 110.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 634 | SMDJ120 | 120.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 635 | SMDJ120A | 120.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 636 | SMDJ130 | 130.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 637 | SMDJ130A | 130.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 638 | SMDJ150 | 150.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 639 | SMDJ150A | 150.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 640 | SMDJ160 | 160.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 641 | SMDJ160A | 160.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 642 | SMDJ170 | 170.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 643 | SMDJ170A | 170.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 644 | SMLJ100 | 100.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 645 | SMLJ100A | 100.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 646 | SMLJ110 | 110.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 647 | SMLJ110A | 110.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 648 | SMLJ120 | 120.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 649 | SMLJ120A | 120.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
| 650 | SMLJ130 | 130.00V; 1 mA; 3000W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen | MDE Semiconductor |
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