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Datenblaetter Gefunden :: 657

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
551	P6KE150A	128.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
552	P6KE160	130.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
553	P6KE160A	136.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
554	P6KE170	138.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
555	P6KE170A	145.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
556	P6KE180	146.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
557	P6KE180A	154.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
558	P6KE200	162.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
559	P6KE200A	171.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
560	P6KE220	175.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor

561	P6KE220A	185.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
562	P6KE250	202.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
563	P6KE250A	202.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
564	P6KE300	243.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
565	P6KE300A	256.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
566	P6KE350	284.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
567	P6KE350A	300.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
568	P6KE400	324.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
569	P6KE400A	342.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
570	P6KE440	356.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
571	P6KE440A	376.00V; 1 mA; 600W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
572	SA100	100.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
573	SA100A	100.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
574	SA110	110.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
575	SA110A	110.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
576	SA120	120.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
577	SA120A	120.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
578	SA130	130.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
579	SA130A	130.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
580	SA150	150.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
581	SA150A	150.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
582	SA160	160.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
583	SA160A	160.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
584	SA170	170.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
585	SA170A	170.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
586	SA180	180.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
587	SA180A	180.00V; 1 mA; 500W Pulsspitzenleistung; Glas passi Kreuzung Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
588	SMAJ100	100.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
589	SMAJ100A	100.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
590	SMAJ110	110.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
591	SMAJ110A	110.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
592	SMAJ120	120.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
593	SMAJ120A	120.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
594	SMAJ130	130.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
595	SMAJ130A	130.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
596	SMAJ150	150.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
597	SMAJ150A	150.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
598	SMAJ160	160.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
599	SMAJ160A	160.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor
600	SMAJ170	170.00V; 1 mA; 400W Pulsspitzenleistung; Oberflächenmontage transiente transiente Löschung. Für bipolare Anwendungen	MDE Semiconductor

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