| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 651 | EN29F800B45SI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 652 | EN29F800B45T | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 653 | EN29F800B45TI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 654 | EN29F800B55S | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 655 | EN29F800B55SI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 656 | EN29F800B55T | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 657 | EN29F800B55TI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 658 | EN29F800B70S | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 659 | EN29F800B70SI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 660 | EN29F800B70T | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 661 | EN29F800B70TI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 662 | EN29F800B90S | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 663 | EN29F800B90SI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 664 | EN29F800B90T | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 665 | EN29F800B90TI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 666 | EN29F800T-45T | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 5.0 volts seulement. 45ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 667 | EN29F800T-45TI | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 5.0 volts seulement. 45ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 668 | EN29F800T-55T | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 5.0 volts seulement. 55ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 669 | EN29F800T-55TI | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 5.0 volts seulement. 55ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 670 | EN29F800T-70T | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 5.0 volts seulement. 70ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 671 | EN29F800T-70TI | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 5.0 volts seulement. 70ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 672 | EN29F800T-90T | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 5.0 volts seulement. 90ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 673 | EN29F800T-90TI | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 5.0 volts seulement. 90ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 674 | EN29F800T45S | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 675 | EN29F800T45SI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 676 | EN29F800T45T | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 677 | EN29F800T45TI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 678 | EN29F800T55S | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 679 | EN29F800T55SI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 680 | EN29F800T55T | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 681 | EN29F800T55TI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 682 | EN29F800T70S | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 683 | EN29F800T70SI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 684 | EN29F800T70T | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 685 | EN29F800T70TI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 686 | EN29F800T90S | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 687 | EN29F800T90SI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 688 | EN29F800T90T | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 689 | EN29F800T90TI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 5,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 690 | EN29LV160A | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 691 | EN29LV160AB-70BC | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 692 | EN29LV160AB-70BCP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 693 | EN29LV160AB-70BI | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 694 | EN29LV160AB-70BIP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 695 | EN29LV160AB-70TC | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 696 | EN29LV160AB-70TCP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 697 | EN29LV160AB-70TI | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 698 | EN29LV160AB-70TIP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 699 | EN29LV160AB-90BC | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 700 | EN29LV160AB-90BCP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
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