| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 701 | EN29LV160AB-90BI | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 702 | EN29LV160AB-90TC | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 703 | EN29LV160AB-90TCP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 704 | EN29LV160AB-90TI | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 705 | EN29LV160AB-90TIP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 706 | EN29LV160AT-70BC | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 707 | EN29LV160AT-70BCP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 708 | EN29LV160AT-70BI | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 709 | EN29LV160AT-70BIP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 710 | EN29LV160AT-70TC | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 711 | EN29LV160AT-70TCP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 712 | EN29LV160AT-70TI | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 713 | EN29LV160AT-70TIP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 714 | EN29LV160AT-90BC | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 715 | EN29LV160AT-90BCP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 716 | EN29LV160AT-90BI | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 717 | EN29LV160AT-90BIP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 718 | EN29LV160AT-90TC | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 719 | EN29LV160AT-90TCP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 720 | EN29LV160AT-90TI | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 721 | EN29LV160AT-90TIP | MÉMOIRE INSTANTANÉE De 16 MILLIONS DE BITS (2048K X 8 K BIT/1024 X 16-BIT) | Eon Silicon Solution |
| 722 | EN29LV160J | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 16 millions de bits (2048K X de 8 bits/1024K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 723 | EN29LV160JB-70T | 16 mégabits (2048K x 8 bits / 1024K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 70ns de vitesse. Secteur bas. | Eon Silicon Solution |
| 724 | EN29LV160JB-70TI | 16 mégabits (2048K x 8 bits / 1024K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 70ns de vitesse. Secteur bas. | Eon Silicon Solution |
| 725 | EN29LV160JB-90T | 16 mégabits (2048K x 8 bits / 1024K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 90ns de vitesse. Secteur bas. | Eon Silicon Solution |
| 726 | EN29LV160JB-90TI | 16 mégabits (2048K x 8 bits / 1024K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 90ns de vitesse. Secteur bas. | Eon Silicon Solution |
| 727 | EN29LV160JT-70T | 16 mégabits (2048K x 8 bits / 1024K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 70ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 728 | EN29LV160JT-70TI | 16 mégabits (2048K x 8 bits / 1024K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 70ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 729 | EN29LV160JT-90T | 16 mégabits (2048K x 8 bits / 1024K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 90ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 730 | EN29LV160JT-90TI | 16 mégabits (2048K x 8 bits / 1024K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 90ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 731 | EN29LV400A | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 732 | EN29LV400AB-45RBC | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 733 | EN29LV400AB-45RBCP | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 734 | EN29LV400AB-45RBI | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 735 | EN29LV400AB-45RBIP | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 736 | EN29LV400AB-45RTC | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 737 | EN29LV400AB-45RTCP | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 738 | EN29LV400AB-45RTI | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 739 | EN29LV400AB-45RTIP | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 740 | EN29LV400AB-55RBC | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 741 | EN29LV400AB-55RBCP | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 742 | EN29LV400AB-55RBI | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 743 | EN29LV400AB-55RBIP | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 744 | EN29LV400AB-55RTC | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 745 | EN29LV400AB-55RTCP | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 746 | EN29LV400AB-55RTI | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 747 | EN29LV400AB-55RTIP | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 748 | EN29LV400AB-70BC | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 749 | EN29LV400AB-70BCP | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 750 | EN29LV400AB-70BI | Mémoire Instantanée D'Instantané De Secteur D'Initialisation De Mémoire De 4 Millions de bits (512K X De 8 bits/256KX De 16 bits), CMOS 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
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