| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 801 | EN29LV512-45RSC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 802 | EN29LV512-45RSCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 803 | EN29LV512-45RSI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 804 | EN29LV512-45RSIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 805 | EN29LV512-45RTC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 806 | EN29LV512-45RTCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 807 | EN29LV512-45RTI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 808 | EN29LV512-45RTIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 809 | EN29LV512-55JC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 810 | EN29LV512-55JCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 811 | EN29LV512-55JI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 812 | EN29LV512-55JIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 813 | EN29LV512-55SC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 814 | EN29LV512-55SCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 815 | EN29LV512-55SI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 816 | EN29LV512-55SIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 817 | EN29LV512-55TC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 818 | EN29LV512-55TCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 819 | EN29LV512-55TI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 820 | EN29LV512-55TIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 821 | EN29LV512-70JC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 822 | EN29LV512-70JCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 823 | EN29LV512-70JI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 824 | EN29LV512-70JIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 825 | EN29LV512-70SC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 826 | EN29LV512-70SCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 827 | EN29LV512-70SI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 828 | EN29LV512-70SIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 829 | EN29LV512-70TC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 830 | EN29LV512-70TCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 831 | EN29LV512-70TI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 832 | EN29LV512-70TIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 833 | EN29LV512-90JC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 834 | EN29LV512-90JCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 835 | EN29LV512-90JI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 836 | EN29LV512-90JIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 837 | EN29LV512-90SC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 838 | EN29LV512-90SCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 839 | EN29LV512-90SI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 840 | EN29LV512-90SIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 841 | EN29LV512-90TC | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 842 | EN29LV512-90TCP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 843 | EN29LV512-90TI | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 844 | EN29LV512-90TIP | secteur uniforme de 512 Kbit (64K X de 8 bits), CMOS mémoire d'instantané de 3.0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 845 | EN29LV800 | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 846 | EN29LV800B70RS | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 847 | EN29LV800B70RSI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 848 | EN29LV800B70RSIP | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 849 | EN29LV800B70RSP | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 850 | EN29LV800B70RT | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
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