| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 49521 | 2N7002 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO del MODO del REALCE Del N-canal | Panjit International Inc |
| 49522 | 2N7002 | Transistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del N-Canal | Chino-Excel Technology |
| 49523 | 2N7002 | FETs Verticales Del Realce-Modo DMOS Del N-Canal | Supertex Inc |
| 49524 | 2N7002 | N-canal 60V - 1,8 Ohmios - 0.3Ä Sot23-3l - Mosfet De To-92 STripFET™II | ST Microelectronics |
| 49525 | 2N7002 | 60 V, 300 mA de canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49526 | 2N7002 | N-canal del transistor. -Drain sourse tensión de 60 V. | Comchip Technology |
| 49527 | 2N7002 | 0.2W de potencia MOSFET, Vdss 60V, 0.115A Id, 7.5Om RDS | SemiWell Semiconductor |
| 49528 | 2N7002(Z) | MODO 60V SOT23 N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49529 | 2N7002-01 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO del MODO del REALCE Del N-canal | Diodes |
| 49530 | 2N7002-13-F | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49531 | 2N7002-7-02 | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49532 | 2N7002-7-F | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49533 | 2N7002-G | MOSFET, V DS = 60V, I d = 0,25 A, P D = de 350mW | Comchip Technology |
| 49534 | 2N7002-HF | Libre de halógenos MOSFET, V DS = 60V, me d = 0,25 A, P D = de 350mW | Comchip Technology |
| 49535 | 2N7002A | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49536 | 2N7002A-7 | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49537 | 2N7002AQ | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49538 | 2N7002AX | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49539 | 2N7002BK | 60 V, 350 mA de canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49540 | 2N7002BKM | 60 V, 450 mA de canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49541 | 2N7002BKMB | 60 V, solo MOSFET de canal N Trench | NXP Semiconductors |
| 49542 | 2N7002BKS | 60 V, 300 mA de doble canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49543 | 2N7002BKT | 60 V, 290 mA de canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49544 | 2N7002BKV | 60 V, 340 mA de doble canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49545 | 2N7002BKW | 60 V, 310 mA de canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49546 | 2N7002CK | 60 V, 0,3 A MOSFET de canal N Trench | NXP Semiconductors |
| 49547 | 2N7002CSM | TRANSISTOR del MOS del MODO del REALCE Del N-canal | SemeLAB |
| 49548 | 2N7002DW | MOSFETS | Diodes |
| 49549 | 2N7002DW | N-Modo de canal Mejora transistor de efecto campo | Fairchild Semiconductor |
| 49550 | 2N7002DW-7-F | MODO DUAL N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49551 | 2N7002DWA | MODO DUAL N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49552 | 2N7002DWA-13 | MODO DUAL N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49553 | 2N7002DWA-7 | MODO DUAL N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49554 | 2N7002E | Fet Del Nivel De la Lógica De TrenchMOS(tm) | Philips |
| 49555 | 2N7002E | Mosfet Del N-Canal 60-V | Vishay |
| 49556 | 2N7002E | MOSFETS | Diodes |
| 49557 | 2N7002E | Señal pequeña MOSFET 60V 310mA 2.5 Ohm Single N-Channel SOT-23 | ON Semiconductor |
| 49558 | 2N7002E | N-FET de canal de nivel lógico TrenchMOS | NXP Semiconductors |
| 49559 | 2N7002E | 60V; 0.25A; N-canal de modo enchanced transistor de efecto campo | SamHop Microelectronics Corp. |
| 49560 | 2N7002E | Pequeños MOSFETs de señal | Panasonic |
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