| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 50001 | 2SA0886 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Otros | Panasonic |
| 50002 | 2SA0900 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Otros | Panasonic |
| 50003 | 2SA0914 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Otros | Panasonic |
| 50004 | 2SA0921 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 50005 | 2SA0963 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Otros | Panasonic |
| 50006 | 2SA100 | Deriva De la GE PNP | Unknow |
| 50007 | 2SA100 | Deriva De la GE PNP | Unknow |
| 50008 | 2SA1006 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP/NPN | NEC |
| 50009 | 2SA1006A | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP/NPN | NEC |
| 50010 | 2SA1006B | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP/NPN | NEC |
| 50011 | 2SA1008 | Transistor del silicio | NEC |
| 50012 | 2SA1008(1) | Transistor del silicio | NEC |
| 50013 | 2SA1008(2) | Transistor del silicio | NEC |
| 50014 | 2SA1008(3) | Transistor del silicio | NEC |
| 50015 | 2SA1008(4) | Transistor del silicio | NEC |
| 50016 | 2SA1008-S | Transistor del silicio | NEC |
| 50017 | 2SA1008-Z | Transistor del silicio | NEC |
| 50018 | 2SA1009 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | NEC |
| 50019 | 2SA1009 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | NEC |
| 50020 | 2SA1009A | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | NEC |
| 50021 | 2SA1009A | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | NEC |
| 50022 | 2SA101 | Deriva De la GE PNP | Unknow |
| 50023 | 2SA101 | Deriva De la GE PNP | Unknow |
| 50024 | 2SA1010 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO | NEC |
| 50025 | 2SA1010(1) | Transistor del silicio | NEC |
| 50026 | 2SA1010(2) | Transistor del silicio | NEC |
| 50027 | 2SA1011 | La Conmutación De alto voltaje, Energía Amperio, 100W del Af Hizo salir Los Usos De Predriver | SANYO |
| 50028 | 2SA1011 | ENERGÍA TRANSISTORS(1.Ä, 160v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 50029 | 2SA1011 | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA EPITAXIAL DE LA FRECUENCIA DEL SILICIO TRANSISTOR(LOW DE PNP) | Wing Shing Computer Components |
| 50030 | 2SA1012 | USOS ACTUALES EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR ALTOS (PROCESO DEL PCT). | TOSHIBA |
| 50031 | 2SA1012 | ENERGÍA TRANSISTORS(Ä, 50v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 50032 | 2SA1013 | COLOR EPITAXIAL TV VERT DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT). SALIDA De la DESVIACIÓN, USOS SANOS De la SALIDA De la CLASE B Del COLOR TV | TOSHIBA |
| 50033 | 2SA1015 | Usos de fines generales epitaxial del amplificador de la etapa de conductor de los usos del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 50034 | 2SA1015 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 50035 | 2SA1015 | Amplificador de baja frecuencia. Tensión colector-base: 50V = VCBO. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión emisor-base Vebo = -5V.Collector disipación: Pc (máx) = 400mW. | USHA India LTD |
| 50036 | 2SA1015(L) | Usos bajos del amplificador del ruido del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) de la frecuencia audio de los usos epitaxial del amplificador | TOSHIBA |
| 50037 | 2SA1015GR | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 50038 | 2SA1015L | TRANSISTOR (USOS DEL AMPLIFICADOR DE LA FRECUENCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 50039 | 2SA1015Y | 400mW PNP transistor de silicio | Micro Electronics |
| 50040 | 2SA1016 | Usos De poco ruido De alto voltaje Del Amperio | SANYO |
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