| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 50001 | 2SA0886 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Outros | Panasonic |
| 50002 | 2SA0900 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Outros | Panasonic |
| 50003 | 2SA0914 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Outros | Panasonic |
| 50004 | 2SA0921 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
| 50005 | 2SA0963 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Outros | Panasonic |
| 50006 | 2SA100 | Tração Do Ge PNP | Unknow |
| 50007 | 2SA100 | Tração Do Ge PNP | Unknow |
| 50008 | 2SA1006 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | NEC |
| 50009 | 2SA1006A | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | NEC |
| 50010 | 2SA1006B | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | NEC |
| 50011 | 2SA1008 | Transistor do silicone | NEC |
| 50012 | 2SA1008(1) | Transistor do silicone | NEC |
| 50013 | 2SA1008(2) | Transistor do silicone | NEC |
| 50014 | 2SA1008(3) | Transistor do silicone | NEC |
| 50015 | 2SA1008(4) | Transistor do silicone | NEC |
| 50016 | 2SA1008-S | Transistor do silicone | NEC |
| 50017 | 2SA1008-Z | Transistor do silicone | NEC |
| 50018 | 2SA1009 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 50019 | 2SA1009 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 50020 | 2SA1009A | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 50021 | 2SA1009A | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 50022 | 2SA101 | Tração Do Ge PNP | Unknow |
| 50023 | 2SA101 | Tração Do Ge PNP | Unknow |
| 50024 | 2SA1010 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE | NEC |
| 50025 | 2SA1010(1) | Transistor do silicone | NEC |
| 50026 | 2SA1010(2) | Transistor do silicone | NEC |
| 50027 | 2SA1011 | Switching Da Elevado-Tensão, Poder Ampère do Af, Aplicações De Predriver Da Saída 100W | SANYO |
| 50028 | 2SA1011 | PODER TRANSISTORS(1.5A, 160v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 50029 | 2SA1011 | AMPLIFICADOR DE PODER EPITAXIAL DA FREQÜÊNCIA DO SILICONE TRANSISTOR(LOW DE PNP) | Wing Shing Computer Components |
| 50030 | 2SA1012 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING. | TOSHIBA |
| 50031 | 2SA1012 | PODER TRANSISTORS(5A, 50v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 50032 | 2SA1013 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) TEVÊ VERT DO PCT DA COR. SAÍDA Da DEFLEXÃO, APLICAÇÕES SADIAS Da SAÍDA Da CLASSE B Da Tevê Da COR | TOSHIBA |
| 50033 | 2SA1015 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador da finalidade geral de freqüência audio | TOSHIBA |
| 50034 | 2SA1015 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 50035 | 2SA1015 | Amplificador de baixa frequência. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão emissor-base dissipação Vebo = -5V.Collector: Pc (max) = 400mW. | USHA India LTD |
| 50036 | 2SA1015(L) | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do ruído das aplicações do amplificador da freqüência audio | TOSHIBA |
| 50037 | 2SA1015GR | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 50038 | 2SA1015L | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA FREQÜÊNCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 50039 | 2SA1015Y | 400mW PNP transistor de silício | Micro Electronics |
| 50040 | 2SA1016 | Aplicações Do Ampère Do Baixo-Ruído Da Elevado-Tensão | SANYO |
| | | |
