| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 53201 | 2SC2131 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53202 | 2SC2133 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53203 | 2SC2134 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53204 | 2SC2148 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
| 53205 | 2SC2149 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
| 53206 | 2SC2153 | Si plana NPN. Amplificador de RF. | Panasonic |
| 53207 | 2SC2166 | TRANSISTOR DE ENERGÍA PLANAR EPITAXIAL DE NPN TYPE(RF) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53208 | 2SC2173 | Usos DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA Del Amplificador De Energía De la Venda | TOSHIBA |
| 53209 | 2SC2178 | Usos Del Amplificador De Energía De la Venda del Vhf | TOSHIBA |
| 53210 | 2SC2188 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - amplificadores de alta frecuencia y otros | Panasonic |
| 53211 | 2SC2206 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - amplificadores de alta frecuencia y otros | Panasonic |
| 53212 | 2SC2209 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Otros | Panasonic |
| 53213 | 2SC2210 | 2SC2210 | SANYO |
| 53214 | 2SC2210 | 2SC2210 | SANYO |
| 53215 | 2SC2216 | Cuadro Final Planar Epitaxial Del Tipo TV Del Silicio NPN Del Transistor SI Usos Del Amplificador | TOSHIBA |
| 53216 | 2SC22174 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53217 | 2SC22174 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53218 | 2SC2218 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53219 | 2SC2218 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53220 | 2SC2221 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| 53221 | 2SC2221 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| 53222 | 2SC2222 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| 53223 | 2SC2222 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| 53224 | 2SC2223 | MINI MOLDE DEL AMPLIFICADOR NPN DEL TRANSISTOR EPITAXIAL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO | NEC |
| 53225 | 2SC2223-L | Transistor del silicio | NEC |
| 53226 | 2SC2223-T1B | Transistor del silicio | NEC |
| 53227 | 2SC2223-T2B | Transistor del silicio | NEC |
| 53228 | 2SC2229 | SALIDA VIDEO NEGRA Y BLANCA del TIPO DIFUNDIDO TRIPLE del SILICIO NPN del TRANSISTOR de la TV, Conmutación DE ALTO VOLTAJE, Usos Audio Del Amplificador De la Etapa De Conductor | TOSHIBA |
| 53229 | 2SC2230 | AMPLIFICADOR GENERAL DE ALTO VOLTAJE Difundido Triple Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) Y USOS SANOS de la SALIDA de la CLASE B del COLOR TV | TOSHIBA |
| 53230 | 2SC2230A | AMPLIFICADOR GENERAL DE ALTO VOLTAJE Difundido Triple Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) Y USOS SANOS de la SALIDA de la CLASE B del COLOR TV | TOSHIBA |
| 53231 | 2SC2231 | SILICIO NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLE DE PROCESO) | TOSHIBA |
| 53232 | 2SC2231 | SILICIO NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLE DE PROCESO) | TOSHIBA |
| 53233 | 2SC2231A | SILICIO NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLE DE PROCESO) | TOSHIBA |
| 53234 | 2SC2231A | SILICIO NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLE DE PROCESO) | TOSHIBA |
| 53235 | 2SC2233 | La desviación horizontal de TRANSISTOR(for TV de la ENERGÍA del SILICIO de NPN hizo salir usos) | MOSPEC Semiconductor |
| 53236 | 2SC2233 | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA EPITAXIAL DE LA FRECUENCIA DEL SILICIO TRANSISTOR(LOW DE NPN) | Wing Shing Computer Components |
| 53237 | 2SC2233 | NPN de silicio transistor de potencia plástica. Diseñado para su uso en B / W TV salida de deflexión horizontal. VCBO = 200V, DC ganancia de corriente: 20 @ Ic = 4A. Pd = 40W. | USHA India LTD |
| 53238 | 2SC2235 | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA AUDIO EPITAXIAL DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT), USOS DEL AMPLIFICADOR DE LA ETAPA DE CONDUCTOR | TOSHIBA |
| 53239 | 2SC2236 | USOS AUDIO EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 53240 | 2SC2237 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
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