| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 53201 | 2SC2131 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53202 | 2SC2133 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53203 | 2SC2134 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53204 | 2SC2148 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 53205 | 2SC2149 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 53206 | 2SC2153 | Si NPN planar. Amplificador de RF. | Panasonic |
| 53207 | 2SC2166 | TRANSISTOR DE PODER PLANAR EPITAXIAL DE NPN TYPE(RF) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53208 | 2SC2173 | Aplicações DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA Do Amplificador De Poder Da Faixa | TOSHIBA |
| 53209 | 2SC2178 | Aplicações Do Amplificador De Poder Da Faixa do Vhf | TOSHIBA |
| 53210 | 2SC2188 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - amplificadores e outros da Elevado-Freqüência | Panasonic |
| 53211 | 2SC2206 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - amplificadores e outros da Elevado-Freqüência | Panasonic |
| 53212 | 2SC2209 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Outros | Panasonic |
| 53213 | 2SC2210 | 2SC2210 | SANYO |
| 53214 | 2SC2210 | 2SC2210 | SANYO |
| 53215 | 2SC2216 | Tipo Planar Epitaxial Retrato Final Do Silicone NPN Do Transistor da Tevê SE Aplicações Do Amplificador | TOSHIBA |
| 53216 | 2SC22174 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53217 | 2SC22174 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53218 | 2SC2218 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53219 | 2SC2218 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53220 | 2SC2221 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Unknow |
| 53221 | 2SC2221 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Unknow |
| 53222 | 2SC2222 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Unknow |
| 53223 | 2SC2222 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Unknow |
| 53224 | 2SC2223 | MOLDE MINI DO TRANSISTOR EPITAXIAL DE ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN | NEC |
| 53225 | 2SC2223-L | Transistor do silicone | NEC |
| 53226 | 2SC2223-T1B | Transistor do silicone | NEC |
| 53227 | 2SC2223-T2B | Transistor do silicone | NEC |
| 53228 | 2SC2229 | SAÍDA VIDEO PRETA E BRANCA do TIPO DIFUNDIDO TRIPLO do SILICONE NPN do TRANSISTOR da Tevê, Switching DE ALTA TENSÃO, Aplicações Do Amplificador Audio De Estágio De Excitador | TOSHIBA |
| 53229 | 2SC2230 | Tipo Difundido Triplo Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct APLICAÇÕES SADIAS GERAIS DE ALTA TENSÃO da SAÍDA da CLASSE B da Tevê do AMPLIFICADOR E da COR | TOSHIBA |
| 53230 | 2SC2230A | Tipo Difundido Triplo Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct APLICAÇÕES SADIAS GERAIS DE ALTA TENSÃO da SAÍDA da CLASSE B da Tevê do AMPLIFICADOR E da COR | TOSHIBA |
| 53231 | 2SC2231 | SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS) | TOSHIBA |
| 53232 | 2SC2231 | SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS) | TOSHIBA |
| 53233 | 2SC2231A | SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS) | TOSHIBA |
| 53234 | 2SC2231A | SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS) | TOSHIBA |
| 53235 | 2SC2233 | Aplicações horizontais da saída da deflexão da tevê de TRANSISTOR(for do PODER do SILICONE de NPN) | MOSPEC Semiconductor |
| 53236 | 2SC2233 | AMPLIFICADOR DE PODER EPITAXIAL DA FREQÜÊNCIA DO SILICONE TRANSISTOR(LOW DE NPN) | Wing Shing Computer Components |
| 53237 | 2SC2233 | NPN transistor de silício plástico potência. Projetado para uso em B / W TV saída de deflexão horizontal. Vcbo = 200V, ganho de corrente DC: 20 @ Ic = 4A. Pd = 40W. | USHA India LTD |
| 53238 | 2SC2235 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) AMPLIFICADOR DO PCT DE PODER AUDIO, APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DO ESTÁGIO DE EXCITADOR | TOSHIBA |
| 53239 | 2SC2236 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES AUDIO DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 53240 | 2SC2237 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
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