Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
1851 | CSD1133B | 40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
1852 | CSD1133C | 40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 4.000A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
1853 | CSD1133D | 40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
1854 | CSD1134 | 40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
1855 | CSD1134B | 40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
1856 | CSD1134C | 40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
1857 | CSD1134D | 40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
1858 | CSD1306 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
1859 | CSD1306 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
1860 | CSD1306D | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
1861 | CSD1306D | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
1862 | CSD1306E | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
1863 | CSD1306E | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
1864 | CSD1306F | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
1865 | CSD1306F | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
1866 | CSD1426F | Transistor Plástico Completamente Aislado CDIL Del Paquete de TO-3P | Continental Device India Limited |
1867 | CSD1426F | Transistor Plástico Completamente Aislado CDIL Del Paquete de TO-3P | Continental Device India Limited |
1868 | CSD1489 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
1869 | CSD1489 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
1870 | CSD1489B | Propósito General de 0.750W NPN Transistor Plástico con plomo. 16V VCEO, 2.000A Ic, 100 - 500 hFE | Continental Device India Limited |
1871 | CSD1506 | 10.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 56-390 hFE. CSB1065 Complementaria | Continental Device India Limited |
1872 | CSD1506N | 10.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 56-120 hFE. CSB1065N Complementaria | Continental Device India Limited |
1873 | CSD1506P | 10.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 82-180 hFE. CSB1065P Complementaria | Continental Device India Limited |
1874 | CSD1506Q | 10.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 120-270 hFE. CSB1065Q Complementaria | Continental Device India Limited |
1875 | CSD1506R | 10.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 180-390 hFE. CSB1065R Complementaria | Continental Device India Limited |
1876 | CSD1616 | 0.750W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 1.000A Ic, 135-600 hFE. | Continental Device India Limited |
1877 | CSD1616G | 0.750W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 1.000A Ic, 200-400 hFE. | Continental Device India Limited |
1878 | CSD1616L | 0.750W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 1.000A Ic, 300-600 hFE. | Continental Device India Limited |
1879 | CSD1616Y | 0.750W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 1.000A Ic, 135-270 hFE. | Continental Device India Limited |
1880 | CSD1638 | 1.200W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 100V VCEO, 2.000A Ic, 1000-10.000 hFE. | Continental Device India Limited |
1881 | CSD1833 | 2.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 7.000A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
1882 | CSD2470 | Propósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 10V VCEO, 5.000A Ic, 270-820 hFE | Continental Device India Limited |
1883 | CSD288 | 25.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 55V VCEO, 3.000A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
1884 | CSD313 | 30.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40-320 hFE. | Continental Device India Limited |
1885 | CSD313C | 30.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
1886 | CSD313D | 30.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
1887 | CSD313E | 30.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
1888 | CSD313F | 30.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
1889 | CSD362 | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 5.000A Ic, 20-140 hFE. | Continental Device India Limited |
1890 | CSD362N | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 5.000A Ic, 20 - 50 hFE. | Continental Device India Limited |
1891 | CSD362O | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 5.000A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
1892 | CSD362R | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 5.000A Ic, 40 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
1893 | CSD363 | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 6.000A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
1894 | CSD363O | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 6.000A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
1895 | CSD363R | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 6.000A Ic, 40 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
1896 | CSD363Y | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 6.000A Ic, 120-240 hFE. | Continental Device India Limited |
1897 | CSD401 | 25.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 150V VCEO, 2.000A Ic, 40-400 hFE. Complementaria CSB546 | Continental Device India Limited |
1898 | CSD401G | 25.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 150V VCEO, 2.000A Ic, 200-400 hFE. CSB546G Complementaria | Continental Device India Limited |
1899 | CSD401O | 25.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 150V VCEO, 2.000A Ic, 70-140 hFE. CSB546O Complementaria | Continental Device India Limited |
1900 | CSD401R | 25.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 150V VCEO, 2.000A Ic, 40 - 80 hFE. CSB546R Complementaria | Continental Device India Limited |
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