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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
1851CSD1133B40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
1852CSD1133C40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 4.000A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
1853CSD1133D40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE.Continental Device India Limited
1854CSD113440.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-320 hFE.Continental Device India Limited
1855CSD1134B40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
1856CSD1134C40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
1857CSD1134D40.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE.Continental Device India Limited
1858CSD1306TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1859CSD1306TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1860CSD1306DTRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1861CSD1306DTRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1862CSD1306ETRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1863CSD1306ETRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1864CSD1306FTRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1865CSD1306FTRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1866CSD1426FTransistor Plástico Completamente Aislado CDIL Del Paquete de TO-3PContinental Device India Limited
1867CSD1426FTransistor Plástico Completamente Aislado CDIL Del Paquete de TO-3PContinental Device India Limited
1868CSD1489TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1869CSD1489TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1870CSD1489BPropósito General de 0.750W NPN Transistor Plástico con plomo. 16V VCEO, 2.000A Ic, 100 - 500 hFEContinental Device India Limited
1871CSD150610.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 56-390 hFE. CSB1065 ComplementariaContinental Device India Limited
1872CSD1506N10.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 56-120 hFE. CSB1065N ComplementariaContinental Device India Limited
1873CSD1506P10.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 82-180 hFE. CSB1065P ComplementariaContinental Device India Limited
1874CSD1506Q10.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 120-270 hFE. CSB1065Q ComplementariaContinental Device India Limited
1875CSD1506R10.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 180-390 hFE. CSB1065R ComplementariaContinental Device India Limited
1876CSD16160.750W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 1.000A Ic, 135-600 hFE.Continental Device India Limited
1877CSD1616G0.750W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 1.000A Ic, 200-400 hFE.Continental Device India Limited
1878CSD1616L0.750W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 1.000A Ic, 300-600 hFE.Continental Device India Limited
1879CSD1616Y0.750W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 1.000A Ic, 135-270 hFE.Continental Device India Limited



1880CSD16381.200W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 100V VCEO, 2.000A Ic, 1000-10.000 hFE.Continental Device India Limited
1881CSD18332.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 7.000A Ic, 60-320 hFE.Continental Device India Limited
1882CSD2470Propósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 10V VCEO, 5.000A Ic, 270-820 hFEContinental Device India Limited
1883CSD28825.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 55V VCEO, 3.000A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited
1884CSD31330.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40-320 hFE.Continental Device India Limited
1885CSD313C30.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 80 hFE.Continental Device India Limited
1886CSD313D30.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
1887CSD313E30.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
1888CSD313F30.000W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE.Continental Device India Limited
1889CSD36240.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 5.000A Ic, 20-140 hFE.Continental Device India Limited
1890CSD362N40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 5.000A Ic, 20 - 50 hFE.Continental Device India Limited
1891CSD362O40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 5.000A Ic, 70-140 hFE.Continental Device India Limited
1892CSD362R40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 5.000A Ic, 40 - 80 hFE.Continental Device India Limited
1893CSD36340.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 6.000A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited
1894CSD363O40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 6.000A Ic, 70-140 hFE.Continental Device India Limited
1895CSD363R40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 6.000A Ic, 40 - 80 hFE.Continental Device India Limited
1896CSD363Y40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 6.000A Ic, 120-240 hFE.Continental Device India Limited
1897CSD40125.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 150V VCEO, 2.000A Ic, 40-400 hFE. Complementaria CSB546Continental Device India Limited
1898CSD401G25.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 150V VCEO, 2.000A Ic, 200-400 hFE. CSB546G ComplementariaContinental Device India Limited
1899CSD401O25.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 150V VCEO, 2.000A Ic, 70-140 hFE. CSB546O ComplementariaContinental Device India Limited
1900CSD401R25.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 150V VCEO, 2.000A Ic, 40 - 80 hFE. CSB546R ComplementariaContinental Device India Limited

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