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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
1951TFMBJ65ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1952TFMBJ70SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1953TFMBJ70ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1954TFMBJ75SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1955TFMBJ75ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1956TFMBJ78SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1957TFMBJ78ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1958TFMBJ80SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1959TFMBJ80ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1960TFMBJ85SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1961TFMBJ85ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1962TFMBJ90SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1963TFMBJ90ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1964TFMCJSUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1965TFMCJ10SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1966TFMCJ100SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1967TFMCJ100ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1968TFMCJ10ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1969TFMCJ11SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1970TFMCJ110SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1971TFMCJ110ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1972TFMCJ11ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1973TFMCJ12SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1974TFMCJ120SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1975TFMCJ120ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1976TFMCJ12ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1977TFMCJ13SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1978TFMCJ130SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor



1979TFMCJ130ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1980TFMCJ13ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1981TFMCJ14SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1982TFMCJ14ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1983TFMCJ15SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1984TFMCJ150SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1985TFMCJ150ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1986TFMCJ15ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1987TFMCJ16SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1988TFMCJ160SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1989TFMCJ160ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1990TFMCJ16ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1991TFMCJ17SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1992TFMCJ170SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1993TFMCJ170ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1994TFMCJ17ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1995TFMCJ18SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1996TFMCJ18ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1997TFMCJ20SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1998TFMCJ20ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1999TFMCJ22SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
2000TFMCJ22ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 1500 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor

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