| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 101 | BA887 | Diodo del PERNO Del Silicio | Siemens |
| 102 | BA887 | Diodo del PERNO Del Silicio | Siemens |
| 103 | BA892 | Diodo de conmutación del RF del silicio | Siemens |
| 104 | BAR14 | Diodos del PERNO Del Silicio | Siemens |
| 105 | BAR17 | Diodo del PERNO Del Silicio | Siemens |
| 106 | BAR17 | Diodo del PERNO Del Silicio | Siemens |
| 107 | BAR60 | Diodos del PERNO del silicio (atenuador del RF del interruptor del RF para las frecuencias sobre 10 megaciclos) | Siemens |
| 108 | BAR60 | Diodos del PERNO del silicio (atenuador del RF del interruptor del RF para las frecuencias sobre 10 megaciclos) | Siemens |
| 109 | BAR61 | Diodos del PERNO del silicio (atenuador del RF del interruptor del RF para las frecuencias sobre 10 megaciclos) | Siemens |
| 110 | BAR63 | Diodo del PERNO del silicio (el diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad del RF señala la capacitancia muy baja delantera baja de la resistencia para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
| 111 | BAR63-02W | Diodo del PERNO del silicio (diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad de las señales del RF, de la resistencia delantera baja, de la inductancia pequeña de la capacitancia pequeña) | Siemens |
| 112 | BAR63-03 | Diodo del PERNO del silicio (el diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad del RF señala la capacitancia muy baja delantera baja de la resistencia para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
| 113 | BAR63-03W | Diodo del PERNO del silicio (el diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad del RF señala la capacitancia muy baja delantera baja de la resistencia para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
| 114 | BAR63-04 | Diodo del PERNO del silicio (el diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad del RF señala la capacitancia muy baja delantera baja de la resistencia para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
| 115 | BAR63-04W | Diodo del PERNO del silicio (diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad de la capacitancia muy baja delantera baja de la resistencia de la señal del RF para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
| 116 | BAR63-05 | Diodo del PERNO del silicio (el diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad del RF señala la capacitancia muy baja delantera baja de la resistencia para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
| 117 | BAR63-05W | Diodo del PERNO del silicio (diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad de la capacitancia muy baja delantera baja de la resistencia de la señal del RF para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
| 118 | BAR63-06 | Diodo del PERNO del silicio (el diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad del RF señala la capacitancia muy baja delantera baja de la resistencia para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
| 119 | BAR63-06W | Diodo del PERNO del silicio (diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad de la capacitancia muy baja delantera baja de la resistencia de la señal del RF para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
| 120 | BAR63-W | Diodo del PERNO del silicio (diodo del PERNO para la conmutación de alta velocidad de la capacitancia muy baja delantera baja de la resistencia de la señal del RF para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
| 121 | BAR64 | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de Freqency de los swirches sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 122 | BAR64-02 | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de frecuencia de los interruptores sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 123 | BAR64-02W | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de frecuencia de los interruptores sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 124 | BAR64-03 | Diodo del PERNO Del Silicio | Siemens |
| 125 | BAR64-03W | Diodo del PERNO Del Silicio | Siemens |
| 126 | BAR64-04 | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de Freqency de los swirches sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 127 | BAR64-04W | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de frecuencia de los interruptores sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 128 | BAR64-05 | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de Freqency de los swirches sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 129 | BAR64-05W | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de frecuencia de los interruptores sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 130 | BAR64-06 | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de Freqency de los swirches sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 131 | BAR64-06W | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de frecuencia de los interruptores sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 132 | BAR64-07 | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de Freqency de los swirches sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 133 | BAR64-W | Diodo del PERNO del silicio (resistor controlado actual de alto voltaje del RF para el atenuador del RF y gama de frecuencia de los interruptores sobre 1 megaciclo) | Siemens |
| 134 | BAR65-02 | Datos preliminares del diodo de la conmutación del RF del silicio (interruptor bajo de la venda del Perno-diodo de la pérdida/bajo de la capacitancia para los TV-sintonizadores) | Siemens |
| 135 | BAR65-02W | Datos preliminares del diodo de la conmutación del RF del silicio (pérdida baja, interruptor bajo de la venda del Perno-diodo de la capacitancia para los TV-sintonizadores) | Siemens |
| 136 | BAR65-03 | Diodo preliminar de la conmutación del RF del silicio de los datos (interruptor bajo de la venda del Perno-diodo de la pérdida/bajo de la capacitancia para los TV-sintonizadores) | Siemens |
| 137 | BAR65-03W | Diodo preliminar de la conmutación del RF del silicio de los datos (pérdida baja, interruptor bajo de la venda del Perno-diodo de la capacitancia para los TV-sintonizadores) | Siemens |
| 138 | BAR65-07 | Datos preliminares del diodo de la conmutación del RF del silicio (pérdida baja, interruptor bajo de la venda del Perno-Diodo de la capacitancia para los TV-sintonizadores) | Siemens |
| 139 | BAR66 | Arsenal del diodo del PERNO del silicio (diodos del PERNO del dispositivo dos de la protección de la oleada, configuración de la serie) | Siemens |
| 140 | BAR74 | Diodo de la conmutación del silicio (para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 141 | BAR80 | Diodo de la conmutación del RF del silicio (diseño para el uso en pérdida baja de la inserción de la desviación del aislamiento de la señal de la desviación de Hight de la configuración de la desviación) | Siemens |
| 142 | BAR81 | Diodo preliminar de la conmutación del RF del silicio de los datos (diseño para el uso en pérdida baja de la inserción de la desviación del alto de la desviación de la configuración de la desviación aislamiento de la señal) | Siemens |
| 143 | BAR81W | Datos preliminares del diodo de la conmutación del RF del silicio (diseño para el uso en pérdida baja de la inserción de la desviación del alto de la desviación de la configuración de la desviación aislamiento de la señal) | Siemens |
| 144 | BAR99 | Diodo de la conmutación del silicio (para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 145 | BAS116 | Diodo bajo de la salida del silicio (la conmutación media de la velocidad de los usos de la Bajo-salida mide el tiempo del solo diodo) | Siemens |
| 146 | BAS125 | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera) | Siemens |
| 147 | BAS125-04 | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera) | Siemens |
| 148 | BAS125-04W | Diodos preliminares de Schottky del silicio de los datos (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y el uso el afianzar con abrazadera) | Siemens |
| 149 | BAS125-05 | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera) | Siemens |
| 150 | BAS125-05W | Diodos preliminares de Schottky del silicio de los datos (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y el uso el afianzar con abrazadera) | Siemens |
| 151 | BAS125-06 | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera) | Siemens |
| 152 | BAS125-06W | Diodos preliminares de Schottky del silicio de los datos (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y el uso el afianzar con abrazadera) | Siemens |
| 153 | BAS125-07 | Diodo de Schottky del silicio (para la protección low-loss/de la ra'pido-recuperacio'n/del metro/el aislamiento y los usos diagonales el afianzar con abrazadera) | Siemens |
| 154 | BAS125-07W | Diodo de Schottky del silicio (para low-loss, ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera) | Siemens |
| 155 | BAS125W | Diodos preliminares de Schottky del silicio de los datos (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y el uso el afianzar con abrazadera) | Siemens |
| 156 | BAS140 | Diodo de Schottky del silicio (diodos de fines generales para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 157 | BAS140W | Diodo de Schottky del silicio (diodos de fines generales para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 158 | BAS16 | Diodo de la conmutación del silicio (para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 159 | BAS16-02W | Datos preliminares del diodo de la conmutación del silicio (para los altos usos de la conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 160 | BAS16-03W | Datos preliminares del diodo de la conmutación del silicio (para los altos usos de la conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 161 | BAS16S | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para los diodos aislados (galvánicos) internos de los altos de la velocidad usos de la conmutación en un paquete) | Siemens |
| 162 | BAS16W | Diodo de la conmutación del silicio (para los usos de alta velocidad de la conmutación) | Siemens |
| 163 | BAS170 | Diodo de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 164 | BAS170W | Diodo de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 165 | BAS19 | Diodos de la conmutación del silicio (alta velocidad, interruptor de alto voltaje) | Siemens |
| 166 | BAS20 | Diodos de la conmutación del silicio (alta velocidad, interruptor de alto voltaje) | Siemens |
| 167 | BAS21 | Diodos de la conmutación del silicio (alta velocidad, interruptor de alto voltaje) | Siemens |
| 168 | BAS28 | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para los diodos eléctricamente aislados altos de la conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 169 | BAS28W | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para los diodos aislados eléctricos de los altos de la velocidad usos de la conmutación) | Siemens |
| 170 | BAS40 | Diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 171 | BAS40 | Diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 172 | BAS40 | Diodo de Schottky del silicio de HiRel (HiRel discreto y diodos de uso general del semiconductor de la microonda para la alta protección del circuito de la conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 173 | BAS40 | - diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 174 | BAS40 | - diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 175 | BAS40 | - diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 176 | BAS40-04 | Diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 177 | BAS40-04W | Diodo de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 178 | BAS40-05 | Diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 179 | BAS40-05W | Diodo de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 180 | BAS40-06 | Diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 181 | BAS40-06W | Diodo de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 182 | BAS40-07W | Datos preliminares del diodo de Schottky del silicio (diodo de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 183 | BAS40-T1 | Diodo de Schottky del silicio de HiRel (HiRel discreto y diodos de uso general del semiconductor de la microonda para la alta protección del circuito de la conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 184 | BAS40W | Diodo de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 185 | BAS70 | - diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 186 | BAS70 | Diodo de Schottky del silicio de HiRel (HiRel discreto y diodos de uso general del semiconductor de la microonda para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 187 | BAS70 | Diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 188 | BAS70 | - diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 189 | BAS70 | - diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 190 | BAS70 | Diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 191 | BAS70-04 | Diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 192 | BAS70-04S | Arsenal del diodo de Schottky del silicio (diodo de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 193 | BAS70-04W | Diodo de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 194 | BAS70-05 | Diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 195 | BAS70-05W | Diodo de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 196 | BAS70-06 | Diodos de Schottky del silicio (diodos de uso general para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 197 | BAS70-06S | Arsenal del diodo de Schottky del silicio (diodo de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 198 | BAS70-06W | Diodo de Schottky del silicio (diodos de uso general para el alto voltaje de la protección del circuito de la conmutación de la velocidad que afianza con abrazadera) | Siemens |
| 199 | BAS70-07W | Diodo de Schottky del silicio (diodo de uso general para la detección de alto nivel que afianza con abrazadera del alto de la velocidad de la conmutación del circuito voltaje de la protección y mezclarse) | Siemens |
| 200 | BAS70-T1 | Diodo de Schottky del silicio de HiRel (HiRel discreto y diodos de uso general del semiconductor de la microonda para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
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