| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 63901 | STGD8NC60KDT4 | Nuevo cortocircuito accidentado serie "K" | ST Microelectronics |
| 63902 | STGDL6NC60DI | 6 A, 600 V hiper IGBT rápido con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 63903 | STGDL6NC60DIT4 | 6 A, 600 V hiper IGBT rápido con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 63904 | STGE200NB60S | N-canal 100A - 600V ISOTOP POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63905 | STGE50NB60HD | N-canal 50A - 600V ISOTOP POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63906 | STGE50NC60VD | 50 A, 600 V IGBT muy rápido | ST Microelectronics |
| 63907 | STGE50NC60WD | Serie ultra rápido "W" | ST Microelectronics |
| 63908 | STGF10H60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie H 600 V, 10 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63909 | STGF10NB60SD | N-canal 600V 10A To-220fp POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63910 | STGF10NC60HD | Serie muy rápida "H" | ST Microelectronics |
| 63911 | STGF10NC60KD | 6 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63912 | STGF10NC60SD | 10 A, 600 V, IGBT rápido con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 63913 | STGF14NC60KD | 14 A, 600 V, corto circuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63914 | STGF15H60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie H 600 V, 15 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63915 | STGF17NC60SD | 17 A, 600 V, IGBT baja caída con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 63916 | STGF19NC60HD | 19 A, 600 V, IGBT muy rápido con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 63917 | STGF19NC60KD | corto circuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63918 | STGF20H60DF | 600 V, 20 A alta velocidad de la puerta del foso campo parar IGBT | ST Microelectronics |
| 63919 | STGF20NB60S | 1Á Del N-canal - 600V To-220fp POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63920 | STGF30H60DF | 600 V, 30 A alta velocidad de la puerta del foso campo parar IGBT | ST Microelectronics |
| 63921 | STGF35HF60W | 12 A, 600 V ultrarápido IGBT | ST Microelectronics |
| 63922 | STGF3NB60FD | N-canal Á - 600V To-220/to-220fp/dpak/d2pak POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63923 | STGF3NC120HD | N-canal Á - 1200V - To-220fp - POWERMESH RÁPIDO IGBT CON EL DIODO INTEGRAL del APAGADOR | ST Microelectronics |
| 63924 | STGF6NC60HD | Serie muy rápida "H" | ST Microelectronics |
| 63925 | STGF7NB60SL | N-canal 7A - 600V - To-220fp POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63926 | STGF7NC60HD | N-canal 7A - 600V - To-220fp/d2pak POWERMESH MUY RÁPIDO IGBT | ST Microelectronics |
| 63927 | STGF7NC60KD | El N-canal 7A - 600V - CIRCUITO CORTO De To-220/to-220fp/d2pak CLASIFICÓ PowerMESH "IGBT | ST Microelectronics |
| 63928 | STGF8NC60KD | Nuevo cortocircuito accidentado serie "K" | ST Microelectronics |
| 63929 | STGFW20H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 20 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63930 | STGFW20V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 20 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63931 | STGFW20V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 20 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63932 | STGFW30H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 30 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63933 | STGFW30NC60V | 40 A, 600 V, IGBT muy rápido | ST Microelectronics |
| 63934 | STGFW30V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 30 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63935 | STGFW30V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 30 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63936 | STGFW35HF60W | 18 A, 600 V Ultrafast IGBT | ST Microelectronics |
| 63937 | STGFW40H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 40 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63938 | STGFW40V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 40 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63939 | STGFW40V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 40 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63940 | STGFW45HF60W | 23 A, 600 V ultrarápido IGBT | ST Microelectronics |
| 63941 | STGFW80V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 80 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63942 | STGIPL14K60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 15 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63943 | STGIPL14K60-S | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 15 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63944 | STGIPL20K60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 20 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63945 | STGIPL30C60-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, monofásica - 35 A, 1200 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63946 | STGIPN3H60 | SLLIMM (TM) nano del pequeño de baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, 3 A - 600 V 3 fases puente inversor IGBT | ST Microelectronics |
| 63947 | STGIPN3H60-H | SLLIMM (TM) nano del pequeño de baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, 3 A - 600 V 3 fases puente inversor IGBT | ST Microelectronics |
| 63948 | STGIPN3H60A | SLLIMM (TM) nano del pequeño de baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, 3 A - 600 V 3 fases puente inversor IGBT | ST Microelectronics |
| 63949 | STGIPN3H60T-H | SLLIMM (TM) nano del pequeño de baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, 3 A - 600 V 3 fases puente inversor IGBT | ST Microelectronics |
| 63950 | STGIPS10C60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63951 | STGIPS10C60-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63952 | STGIPS10K60A | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63953 | STGIPS10K60A2 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63954 | STGIPS10K60T | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63955 | STGIPS10K60T-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida módulo moldeado inteligente) IPM, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63956 | STGIPS14K60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 14 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63957 | STGIPS14K60T | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 14 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63958 | STGIPS14K60T-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 14 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63959 | STGIPS15C60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 15 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63960 | STGIPS15C60-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 15 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63961 | STGIPS20C60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 20 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63962 | STGIPS20C60-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 20 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63963 | STGIPS20K60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 18 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63964 | STGIPS30C60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 30 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63965 | STGIPS30C60-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 30 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63966 | STGIPS30C60T-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 30 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63967 | STGIPS40W60L1 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, monofásica - 40 A, 600 V de ultra IGBT rápido | ST Microelectronics |
| 63968 | STGP10H60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie H 600 V, 10 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63969 | STGP10N60 | N-canal 10A - NIVEL IGBT de la LÓGICA De 600V To-220 | ST Microelectronics |
| 63970 | STGP10N60 | N-canal 10A - NIVEL IGBT de la LÓGICA De 600V To-220 | ST Microelectronics |
| 63971 | STGP10NB37LZ | El N-canal AFIANZÓ 20A Con abrazadera To-220 POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
| 63972 | STGP10NB60S | N-canal 10A - 600V To-220 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63973 | STGP10NB60SD | 16 A, 600 V IGBT baja caída con diodo de recuperación suave y rápido | ST Microelectronics |
| 63974 | STGP10NB60SDFP | N-canal 10A 600V To-220fp POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63975 | STGP10NB60SFP | N-canal 10A 600V To-220/tp-220fp/dpak PowerMESH"IGBT | ST Microelectronics |
| 63976 | STGP10NC60HD | Serie muy rápida "H" | ST Microelectronics |
| 63977 | STGP10NC60KD | 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63978 | STGP12NB60H | 1À Del N-canal - 600V To-220 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63979 | STGP12NB60HD | 1À 600V To-220 POWERMESH IGBT Del N-canal | ST Microelectronics |
| 63980 | STGP12NB60K | N-canal 1Å - PRUEBA POWERMESH IGBT del CIRCUITO CORTO De 600V To-220 | ST Microelectronics |
| 63981 | STGP12NB60KD | N-canal 1Å - PRUEBA POWERMESH IGBT del CIRCUITO CORTO De 600V To-220/d2pak | ST Microelectronics |
| 63982 | STGP14NC60KD | 14 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63983 | STGP15H60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie H 600 V, 15 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63984 | STGP18N40LZ | EAS 180 mJ - 390 V - IGBT fijada internamente | ST Microelectronics |
| 63985 | STGP19NC60HD | 19 A, 600 V, IGBT muy rápido con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 63986 | STGP19NC60KD | corto circuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
| 63987 | STGP19NC60S | 20 A, 600 V IGBT rápido | ST Microelectronics |
| 63988 | STGP19NC60SD | 20 A, 600 V IGBT rápido con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 63989 | STGP19NC60WD | Serie ultra rápido "W" | ST Microelectronics |
| 63990 | STGP20H60DF | 600 V, 20 A alta velocidad de la puerta del foso campo parar IGBT | ST Microelectronics |
| 63991 | STGP20NB37LZ | El N-canal AFIANZÓ 20A Con abrazadera To-220 POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
| 63992 | STGP20NB60H | N-canal 20A - 600V To-220 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63993 | STGP20NB60K | N-canal 20A 600V To-220 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63994 | STGP20NC60V | N-canal 30A - 600V To-220/to-247 HYPERFAST POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 63995 | STGP20V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 20 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63996 | STGP20V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 20 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63997 | STGP30H60DF | 600 V, 30 A alta velocidad de la puerta del foso campo parar IGBT | ST Microelectronics |
| 63998 | STGP30H65F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie H 600 V, 30 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 63999 | STGP30NC60S | 30 A, 600 V, IGBT rápido | ST Microelectronics |
| 64000 | STGP30NC60W | 30 A - 600 V - IGBT ultra rápida | ST Microelectronics |
| | | |
