Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
63701 | STFW3N170 | Canal N 1700 V, 8 ohmios tip., 2.3 A, PowerMESH (TM) MOSFET en encapsulado TO-3PF | ST Microelectronics |
63702 | STFW4N150 | Canal N 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) MOSFET de potencia en TO-3PF | ST Microelectronics |
63703 | STFW69N65M5 | Canal N 650 V, 0.037 Ohm, 58 A MDmesh (TM) V MOSFET en encapsulado TO-3PF | ST Microelectronics |
63704 | STFW6N120K3 | Canal N 1200 V, 1,95 Ohm, protegido con Zener 6 A SuperMESH3 (TM) MOSFET en encapsulado TO-3PF | ST Microelectronics |
63705 | STG3000X | ACELERADOR DE LOS MULTIMEDIA DE 128-bit 3CD | ST Microelectronics |
63706 | STG3005A2S | ACELERADOR DE LOS MULTIMEDIA DE 128-bit 3CD | ST Microelectronics |
63707 | STG3157 | LA BAJA TENSIÓN BAJA EN EL INTERRUPTOR DE LA RESISTENCIA SPDT CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63708 | STG3157CTR | LA BAJA TENSIÓN BAJA EN EL INTERRUPTOR DE LA RESISTENCIA SPDT CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63709 | STG3220 | Baja Tensión alto ancho de banda Dual SPDT Interruptor | ST Microelectronics |
63710 | STG3220QTR | Baja Tensión alto ancho de banda Dual SPDT Interruptor | ST Microelectronics |
63711 | STG3482 | Baja Tensión Interruptor SP4T dual con Feat Break-Antes-Make. | ST Microelectronics |
63712 | STG3482QTR | Baja Tensión Interruptor SP4T dual con Feat Break-Antes-Make. | ST Microelectronics |
63713 | STG3680 | EL BAJO INTERRUPTOR DUAL MÁXIMO DE LA TENSIÓN ÖHM SPDT CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63714 | STG3680QTR | EL BAJO INTERRUPTOR DUAL MÁXIMO DE LA TENSIÓN ÖHM SPDT CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63715 | STG3682 | Baja Tensión alto ancho de banda Dual SPDT Interruptor | ST Microelectronics |
63716 | STG3682QTR | Baja Tensión alto ancho de banda Dual SPDT Interruptor | ST Microelectronics |
63717 | STG3684 | LA BAJA TENSIÓN INTERRUPTOR DUAL MÁXIMO DEL SPD DE 0,5 OHMIOS CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63718 | STG3684A | Baja Tensión Interruptor 0.5 Ohm Max Dual SPDT con Break-Antes-Que Feat | ST Microelectronics |
63719 | STG3684AUTR | Baja Tensión Interruptor 0.5 Ohm Max Dual SPDT con Break-Antes-Que Feat | ST Microelectronics |
63720 | STG3684QTR | LA BAJA TENSIÓN INTERRUPTOR DUAL MÁXIMO DEL SPD DE 0,5 OHMIOS CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63721 | STG3685 | LA BAJA TENSIÓN INTERRUPTOR DUAL MÁXIMO DE 0,5 OHMIOS SPDT, SOLO PERMITE CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63722 | STG3685BJR | LA BAJA TENSIÓN INTERRUPTOR DUAL MÁXIMO DE 0,5 OHMIOS SPDT, SOLO PERMITE CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63723 | STG3690 | EL BAJO INTERRUPTOR MÁXIMO DEL CUADRÁNGULO SPDT DE LA TENSIÓN ÖHM CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63724 | STG3690QTR | EL BAJO INTERRUPTOR MÁXIMO DEL CUADRÁNGULO SPDT DE LA TENSIÓN ÖHM CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63725 | STG3690TTR | EL BAJO INTERRUPTOR MÁXIMO DEL CUADRÁNGULO SPDT DE LATENSIÓN LOS 5OHM CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63726 | STG3690TTR | EL BAJO INTERRUPTOR MÁXIMO DEL CUADRÁNGULO SPDT DE LATENSIÓN LOS 5OHM CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63727 | STG3692 | Baja Tensión alto ancho de banda Quad SPDT | ST Microelectronics |
63728 | STG3692QTR | Baja Tensión alto ancho de banda Quad SPDT | ST Microelectronics |
63729 | STG3693 | Baja Tensión alto ancho de banda Quad SPDT Interruptor | ST Microelectronics |
63730 | STG3693QTR | Baja Tensión alto ancho de banda Quad SPDT Interruptor | ST Microelectronics |
63731 | STG3696E | Interruptor SPDT dual baja tensión para la conmutación de señales USB / audio | ST Microelectronics |
63732 | STG3696EQTR | Interruptor SPDT dual baja tensión para la conmutación de señales USB / audio | ST Microelectronics |
63733 | STG3699 | LA BAJA TENSIÓN INTERRUPTOR MÁXIMO DEL SPD DEL CUADRÁNGULO DE 0,5 OHMIOS CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63734 | STG3699A | ¿BAJA TENSIÓN 0.5? EL INTERRUPTOR MÁXIMO DEL CUADRÁNGULO SPDT CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63735 | STG3699A | ¿BAJA TENSIÓN 0.5? EL INTERRUPTOR MÁXIMO DEL CUADRÁNGULO SPDT CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63736 | STG3699AQTR | LA BAJA TENSIÓN INTERRUPTOR MÁXIMO DEL CUADRÁNGULO SPDT DE 0,5 OHMIOS CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63737 | STG3699B | Baja tensión 0.5 Î © max, interruptor SPDT cuádruple con función break-before-make | ST Microelectronics |
63738 | STG3699BVTR | Baja tensión 0.5 Î © max, interruptor SPDT cuádruple con función break-before-make | ST Microelectronics |
63739 | STG3699QTR | LA BAJA TENSIÓN INTERRUPTOR MÁXIMO DEL SPD DEL CUADRÁNGULO DE 0,5 OHMIOS CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63740 | STG3699TTR | LA BAJA TENSIÓN INTERRUPTOR MÁXIMO DEL SPD DEL CUADRÁNGULO DE 0,5 OHMIOS CON LA ROTURA ANTES HACE LA CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63741 | STG3820 | Baja tensión de alto ancho de banda interruptor DPDT quad | ST Microelectronics |
63742 | STG3820BJR | Baja tensión de alto ancho de banda interruptor DPDT quad | ST Microelectronics |
63743 | STG3856 | Baja tensión 1.0i © interruptor SP3T doble máximo con función break-before-make | ST Microelectronics |
63744 | STG3856QTR | Baja tensión 1.0i © interruptor SP3T doble máximo con función break-before-make | ST Microelectronics |
63745 | STG4158 | Baja tensión 0.6 Î © typ interruptor SPDT individual con característica y 15 kV protección ESD-break antes de hacer- | ST Microelectronics |
63746 | STG4158BJR | Baja tensión 0.6 Î © typ interruptor SPDT individual con característica y 15 kV protección ESD-break antes de hacer- | ST Microelectronics |
63747 | STG4159 | Baja Tensión Interruptor 0.3 Ohm máx Individual SPDT con break-before-Hacer largometrajes y 10 kV Contacto Protección ESD | ST Microelectronics |
63748 | STG4159BJR | Baja Tensión Interruptor 0.3 Ohm máx Individual SPDT con break-before-Hacer largometrajes y 10 kV Contacto Protección ESD | ST Microelectronics |
63749 | STG4160 | Baja tensión 0.5 Ohm interruptor SPDT individual con función break-before-make y protección ESD 15 kV | ST Microelectronics |
63750 | STG4160BJR | Baja tensión 0.5 Ohm interruptor SPDT individual con función break-before-make y protección ESD 15 kV | ST Microelectronics |
63751 | STG4260 | Baja tensión 0.5 Î © interruptor SPDT dual con función break-before-make y protección ESD 15 kV | ST Microelectronics |
63752 | STG4260BJR | Baja tensión 0.5 Î © interruptor SPDT dual con función break-before-make y protección ESD 15 kV | ST Microelectronics |
63753 | STG5123 | Baja tensión 1 Î © interruptor SPDT individual con función de descanso antes de hacer- | ST Microelectronics |
63754 | STG5123DTR | Baja tensión 1 Î © interruptor SPDT individual con función de descanso antes de hacer- | ST Microelectronics |
63755 | STG5223 | Baja tensión 0.5 Î © interruptor SPDT dual con break-before-make | ST Microelectronics |
63756 | STG5223QTR | Baja tensión 0.5 Î © interruptor SPDT dual con break-before-make | ST Microelectronics |
63757 | STG5678 | Baja tensión de doble interruptor SPDT con capacidad de trazo negativo | ST Microelectronics |
63758 | STG5678BJR | Baja tensión de doble interruptor SPDT con capacidad de trazo negativo | ST Microelectronics |
63759 | STG5678CJR | Baja tensión de doble interruptor SPDT con capacidad de trazo negativo | ST Microelectronics |
63760 | STG5682 | Baja tensión de doble interruptor SPDT con capacidad de trazo negativo | ST Microelectronics |
63761 | STG5682QTR | Baja tensión de doble interruptor SPDT con capacidad de trazo negativo | ST Microelectronics |
63762 | STG719 | INTERRUPTOR DE LA BAJA TENSIÓN ÔHM SPDT | ST Microelectronics |
63763 | STG719CTR | INTERRUPTOR DE LA BAJA TENSIÓN ÔHM SPDT | ST Microelectronics |
63764 | STG719FTR | INTERRUPTOR DE LA BAJA TENSIÓN LOS 4OHM SPDT | ST Microelectronics |
63765 | STG719FTR | INTERRUPTOR DE LA BAJA TENSIÓN LOS 4OHM SPDT | ST Microelectronics |
63766 | STG719STR | INTERRUPTOR DE LA BAJA TENSIÓN ÔHM SPDT | ST Microelectronics |
63767 | STGAP1S | gapDRIVE: aislamiento galvánico conductor puerta sola | ST Microelectronics |
63768 | STGAP1STR | gapDRIVE: aislamiento galvánico conductor puerta sola | ST Microelectronics |
63769 | STGB10H60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie H 600 V, 10 A alta velocidad | ST Microelectronics |
63770 | STGB10NB37LZ | El N-canal AFIANZÓ 10A Con abrazadera - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
63771 | STGB10NB37LZT4 | El N-canal AFIANZÓ 10A Con abrazadera - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
63772 | STGB10NB40LZ | El N-canal AFIANZÓ 20A Con abrazadera D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
63773 | STGB10NB40LZT4 | El N-canal AFIANZÓ 20A Con abrazadera D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
63774 | STGB10NB60S | N-canal 10A 600V To-220/tp-220fp/dpak PowerMESH"IGBT | ST Microelectronics |
63775 | STGB10NB60ST4 | N-canal 10A 600V To-220/tp-220fp/dpak PowerMESH"IGBT | ST Microelectronics |
63776 | STGB10NC60HD | Serie muy rápida "H" | ST Microelectronics |
63777 | STGB10NC60HDT4 | Serie muy rápida "H" | ST Microelectronics |
63778 | STGB10NC60KD | 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
63779 | STGB10NC60KDT4 | 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
63780 | STGB12NB60KD | N-canal 1Å - PRUEBA POWERMESH IGBT del CIRCUITO CORTO De 600V To-220/d2pak | ST Microelectronics |
63781 | STGB12NB60KDT4 | N-canal 1Å - PRUEBA POWERMESH IGBT del CIRCUITO CORTO De 600V To-220/d2pak | ST Microelectronics |
63782 | STGB14NC60KD | 14 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
63783 | STGB14NC60KDT4 | 14 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
63784 | STGB15H60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie H 600 V, 15 A alta velocidad | ST Microelectronics |
63785 | STGB18N40LZ | EAS 180 mJ - 390 V - IGBT fijada internamente | ST Microelectronics |
63786 | STGB18N40LZ-1 | EAS 180 mJ - 390 V - IGBT fijada internamente | ST Microelectronics |
63787 | STGB18N40LZT4 | EAS 180 mJ - 390 V - IGBT fijada internamente | ST Microelectronics |
63788 | STGB19NC60H | 19 A - 600 V - IGBT muy rápido | ST Microelectronics |
63789 | STGB19NC60HD | 19 A, 600 V, IGBT muy rápido con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
63790 | STGB19NC60HDT4 | 19 A, 600 V, IGBT muy rápido con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
63791 | STGB19NC60HT4 | 19 A - 600 V - IGBT muy rápido | ST Microelectronics |
63792 | STGB19NC60KD | corto circuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
63793 | STGB19NC60KDT4 | corto circuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
63794 | STGB20H60DF | 600 V, 20 A alta velocidad de la puerta del foso campo parar IGBT | ST Microelectronics |
63795 | STGB20N40LZ | Automotive grado 390 V fijada internamente IGBT ESCIS 300 mJ | ST Microelectronics |
63796 | STGB20NB32LZ | El N-canal AFIANZÓ 20A Con abrazadera - D2PAK/I2PAK POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
63797 | STGB20NB32LZ-1 | El N-canal AFIANZÓ 20A Con abrazadera - D2PAK/I2PAK POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
63798 | STGB20NB32LZT4 | 20A AFIANZADO Con abrazadera N-canal - D2PAK/I2PAK INTERNAMENTE AFIANZÓ POWERMESH Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
63799 | STGB20NB37LZ | El N-canal AFIANZÓ 20A Con abrazadera - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
63800 | STGB20NB37LZT4 | El N-canal AFIANZÓ 20A Con abrazadera - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
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