| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 64101 | STGW45NC60VD | 45 A, 600 V, IGBT muy rápido | ST Microelectronics |
| 64102 | STGW45NC60WD | Serie ultra rápido "W" | ST Microelectronics |
| 64103 | STGW50H60DF | 50 A, 600 V campo parada zanja IGBT puerta con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 64104 | STGW50HF60S | 60 A, 600 V, IGBT caída muy baja | ST Microelectronics |
| 64105 | STGW50HF60SD | 60 A, 600 V, muy baja caída IGBT con diodo de recuperación suave y rápido | ST Microelectronics |
| 64106 | STGW50HF65SD | 60 A, 650 V, muy baja caída IGBT con diodo de recuperación suave y rápido | ST Microelectronics |
| 64107 | STGW50NB60H | N-canal 50A - 600V To-247 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 64108 | STGW50NB60M | N-canal 50A - 600V - To-247 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 64109 | STGW50NC60W | Serie ultra rápido "W" | ST Microelectronics |
| 64110 | STGW60H60DLFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 600 V, 60 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64111 | STGW60H65DF | 60 A, 650 V campo parada zanja IGBT puerta con el diodo muy rápido | ST Microelectronics |
| 64112 | STGW60H65DFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 60 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64113 | STGW60H65DRF | 60 A, 650 V campo parada zanja IGBT puerta con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 64114 | STGW60H65F | 60 A, 650 V campo de puerta de parada zanja IGBT | ST Microelectronics |
| 64115 | STGW60H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 60 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64116 | STGW60V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 60 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64117 | STGW60V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 60 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64118 | STGW80H65DFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 80 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64119 | STGW80H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 80 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64120 | STGW80V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 80 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64121 | STGW80V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 80 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64122 | STGWA15M120DF3 | Puerta Trench campo parar IGBT, serie M 1200 V, 15 A baja pérdida | ST Microelectronics |
| 64123 | STGWA19NC60HD | 31 A, 600 V, IGBT muy rápido con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 64124 | STGWA25M120DF3 | Puerta Trench campo parar IGBT, serie M 1200 V, 25 A baja pérdida | ST Microelectronics |
| 64125 | STGWA30N120KD | 30 A, 1200 V cortocircuito IGBT resistente con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 64126 | STGWA35HF60WDI | 35 A, 600 V ultrarrápida IGBT con diodo de baja caída | ST Microelectronics |
| 64127 | STGWA40M120DF3 | Puerta Trench campo parar IGBT, serie M 1200 V, 40 A baja pérdida | ST Microelectronics |
| 64128 | STGWA40N120KD | 40 A, 1200 V cortocircuito IGBT resistente con ultrarápido de diodo | ST Microelectronics |
| 64129 | STGWA60NC60WDR | 60 A, 600 V, IGBT ultrarrápido | ST Microelectronics |
| 64130 | STGWA80H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 80 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64131 | STGWF30NC60S | 30 A, 600 V, IGBT rápido | ST Microelectronics |
| 64132 | STGWT20H60DF | 600 V, 20 A alta velocidad de la puerta del foso campo parar IGBT | ST Microelectronics |
| 64133 | STGWT20H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 20 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64134 | STGWT20IH125DF | 1250 V, 20 A IH puerta zanja serie campo parar IGBT | ST Microelectronics |
| 64135 | STGWT20V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 20 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64136 | STGWT20V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 20 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64137 | STGWT28IH125DF | 1250 V, 25 A IH puerta zanja serie campo parar IGBT | ST Microelectronics |
| 64138 | STGWT30H60DFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 600 V, 30 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64139 | STGWT30H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 30 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64140 | STGWT30V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 30 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64141 | STGWT30V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 30 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64142 | STGWT38IH130D | 33 A - 1300 V - IGBT muy rápido | ST Microelectronics |
| 64143 | STGWT40H60DLFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 600 V, 40 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64144 | STGWT40H65DFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 40 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64145 | STGWT40H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 40 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64146 | STGWT40V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 40 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64147 | STGWT40V60DLF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 40 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64148 | STGWT50HF65SD | 60 A, 650 V, muy baja caída IGBT con diodo de recuperación suave y rápido | ST Microelectronics |
| 64149 | STGWT60H60DLFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 600 V, 60 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64150 | STGWT60H65DFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 60 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64151 | STGWT60H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 60 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64152 | STGWT60V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 60 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64153 | STGWT80H65DFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 80 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64154 | STGWT80H65FB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 80 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64155 | STGWT80V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 80 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64156 | STGWT80V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 80 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64157 | STGY40NC60V | ¿N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Muy Rápido?? IGBT | ST Microelectronics |
| 64158 | STGY40NC60V | ¿N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Muy Rápido?? IGBT | ST Microelectronics |
| 64159 | STGY40NC60VD | N-canal 50A - 600V MAX247 POWERMESH MUY RÁPIDO "IGBT | ST Microelectronics |
| 64160 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 64161 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 64162 | STGY50NB60HD | N-canal 50A - 600V MAX247 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 64163 | STGY50NC60WD | Serie ultra rápido "W" | ST Microelectronics |
| 64164 | STGY80H65DFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 80 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 64165 | STH10NA50FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 64166 | STH10NC60FI | N-canal 600V - 0,6 OHMIOS - 10A - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 64167 | STH110N10F7-2 | Canal N 100 V, 4.9 mOhm tip., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64168 | STH110N10F7-6 | Canal N 100 V, 4.9 mOhm tip., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
| 64169 | STH12N120K5-2 | Canal N 1200 V, 0.58 Ohm tip., Protegida por la Zener 12 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64170 | STH12NA60FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 64171 | STH130N10F3-2 | Canal N 100 V, 7.8 mOhm tip., 120 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64172 | STH13NB60 | N - CANAL 600V - Los 0.48ohm - 13A - Mosfet de TO-247/ISOWATT218 PowerMESH | ST Microelectronics |
| 64173 | STH13NB60 | N - CANAL 600V - Los 0.48ohm - 13A - Mosfet de TO-247/ISOWATT218 PowerMESH | ST Microelectronics |
| 64174 | STH13NB60FI | N-canal 600V - 0,48 OHMIOS - 1Á - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 64175 | STH140N8F7-2 | Canal N 80 V, 3.3 mOhm tip., 90 A STripFET F7 Power MOSFET en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64176 | STH150N10F7-2 | Canal N 100 V, 0,0038 Ohm tip., 90 A STripFET F7 Power MOSFET en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64177 | STH15NA50FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 64178 | STH15NB50FI | TRANSISTOR MUY BAJO del MOS de la ENERGÍA de la CARGA de la PUERTA del MODO del REALCE De N-channle | ST Microelectronics |
| 64179 | STH16NA40FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 64180 | STH180N10F3-2 | Canal N 100 V, 3.9 mOhm, 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET H2PAK-2 | ST Microelectronics |
| 64181 | STH180N10F3-6 | Canal N 100 V, 3.9 mOhm, 180 A, H2PAK-6 STripFET (TM) III Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 64182 | STH185N10F3-2 | Automotive grado de canal N 100 V, 3.9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET paquete H2PAK-2 | ST Microelectronics |
| 64183 | STH18NB40 | Mosfet del OHMIO 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Del N-canal 400V 0,19 | ST Microelectronics |
| 64184 | STH18NB40FI | Mosfet del OHMIO 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Del N-canal 400V 0,19 | ST Microelectronics |
| 64185 | STH210N75F6-2 | Canal N 75 V, 0,0027 Ohm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64186 | STH240N10F7-2 | Canal N 100 V, 0.002 Ohm tip., 180 A STripFET F7 Power MOSFET en un paquete H2PAK-2 | ST Microelectronics |
| 64187 | STH240N10F7-6 | Canal N 100 V, 0.002 Ohm tip., 180 A STripFET F7 Power MOSFET en un paquete H2PAK-6 | ST Microelectronics |
| 64188 | STH240N75F3-2 | Canal N 75 V, 2.6 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64189 | STH240N75F3-6 | Canal N 75 V, 2.6 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
| 64190 | STH245N75F3-6 | Automotive grado de canal N 75 V, 2.6 mOhm tip., 180 A STripFET F3 Power MOSFET en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
| 64191 | STH250N55F3-6 | N-canal 55 V, 2.2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 64192 | STH260N6F6-2 | Canal N 60 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64193 | STH260N6F6-6 | Canal N 60 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
| 64194 | STH270N4F3-2 | Canal N 40 V, 1.4 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64195 | STH270N4F3-6 | Canal N 40 V, 1.4 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
| 64196 | STH270N8F7-2 | Canal N 80 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64197 | STH270N8F7-6 | Canal N 80 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
| 64198 | STH300NH02L-6 | Canal N 24 V, 0.95 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en un paquete H2PAK-6 | ST Microelectronics |
| 64199 | STH310N10F7-2 | Canal N 100 V, 1.9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 64200 | STH310N10F7-6 | Canal N 100 V, 1.9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
| | | |
