No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
600201 | K4R441869AM-CK7 | 256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, I freq / O. 711 MHz. | Samsung Electronic |
600202 | K4R441869AM-CK8 | 256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, I freq / O. 800 MHz. | Samsung Electronic |
600203 | K4R441869AN-CG6 | 256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 53.3 ns, I freq / O. 600 MHz. | Samsung Electronic |
600204 | K4R441869AN-CK7 | 256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, I freq / O. 711 MHz. | Samsung Electronic |
600205 | K4R441869AN-CK8 | 256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, I freq / O. 800 MHz. | Samsung Electronic |
600206 | K4R441869B | Foglio Di Dati Di K4R271669B:Direct RDRAM™ | Samsung Electronic |
600207 | K4R441869B | RDRAM Diretto | Samsung Electronic |
600208 | K4R441869B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 serie del bit x di 32s dirigono RDRAMTM | Samsung Electronic |
600209 | K4R441869B-N(M)CK7 | 256K x 16/18 serie del bit x di 32s dirigono RDRAMTM | Samsung Electronic |
600210 | K4R441869B-N(M)CK8 | 256K x 16/18 serie del bit x di 32s dirigono RDRAMTM | Samsung Electronic |
600211 | K4R521669A | 250 a 0.13V; 512 / 576Mbit canale corto stop 1066MHz RDRAM (A-die); 1m x 16 / 18bit x 32s Banche | Samsung Electronic |
600212 | K4R57(88)16(8)69A | Foglio Di Dati Diretto di RDRAM™ | Samsung Electronic |
600213 | K4R571669D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
600214 | K4R571669M | Foglio Di Dati Diretto di RDRAM™ | Samsung Electronic |
600215 | K4R761869A | 250 a 0.13V; 512 / 576Mbit canale corto stop 1066MHz RDRAM (A-die); 1m x 16 / 18bit x 32s Banche | Samsung Electronic |
600216 | K4R761869A-F | 1M x di 576Mbit RDRAM (Un-muoia) banca RDRAMTM diretto di 32s x di 18bit | Samsung Electronic |
600217 | K4R761869A-FBCCN1 | 1M x di 576Mbit RDRAM (Un-muoia) banca RDRAMTM diretto di 32s x di 18bit | Samsung Electronic |
600218 | K4R761869A-FCM8 | 1M x di 576Mbit RDRAM (Un-muoia) banca RDRAMTM diretto di 32s x di 18bit | Samsung Electronic |
600219 | K4R761869A-FCT9 | 1M x di 576Mbit RDRAM (Un-muoia) banca RDRAMTM diretto di 32s x di 18bit | Samsung Electronic |
600220 | K4R761869A-GCM8 | 1M x di 576Mbit RDRAM (Un-muoia) banca RDRAMTM diretto di 32s x di 18bit | Samsung Electronic |
600221 | K4R761869A-GCN1 | 1M x di 576Mbit RDRAM (Un-muoia) banca RDRAMTM diretto di 32s x di 18bit | Samsung Electronic |
600222 | K4R761869A-GCT9 | 1M x di 576Mbit RDRAM (Un-muoia) banca RDRAMTM diretto di 32s x di 18bit | Samsung Electronic |
600223 | K4R881869 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 serie dipendenti 2*16 del bit x dirigono RDRAMTM | Samsung Electronic |
600224 | K4R881869D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
600225 | K4R881869M | Foglio Di Dati Diretto di RDRAM™ | Samsung Electronic |
600226 | K4R881869M | RDRAM Diretto | Samsung Electronic |
600227 | K4R881869M-NBCCG6 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 serie dipendenti 2*16 del bit x dirigono RDRAMTM | Samsung Electronic |
600228 | K4R881869M-NCK7 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 serie dipendenti 2*16 del bit x dirigono RDRAMTM | Samsung Electronic |
600229 | K4R881869M-NCK8 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 serie dipendenti 2*16 del bit x dirigono RDRAMTM | Samsung Electronic |
600230 | K4S160822D | 1M x 8bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 2 serie | Samsung Electronic |
600231 | K4S160822DT-G/F10 | 1M x 8bit x di 2Mx8 SDRAM UN DRAM sincrono LVTTL delle 2 Banche | Samsung Electronic |
600232 | K4S160822DT-G/F7 | 1M x 8bit x di 2Mx8 SDRAM UN DRAM sincrono LVTTL delle 2 Banche | Samsung Electronic |
600233 | K4S160822DT-G/F8 | 1M x 8bit x di 2Mx8 SDRAM UN DRAM sincrono LVTTL delle 2 Banche | Samsung Electronic |
600234 | K4S160822DT-G/FH | 1M x 8bit x di 2Mx8 SDRAM UN DRAM sincrono LVTTL delle 2 Banche | Samsung Electronic |
600235 | K4S160822DT-G/FL | 1M x 8bit x di 2Mx8 SDRAM UN DRAM sincrono LVTTL delle 2 Banche | Samsung Electronic |
600236 | K4S161622D | 512K x 16Bit x un DRAM sincrono delle 2 serie | Samsung Electronic |
600237 | K4S161622D-TC/L/I/P | 512K x 16Bit x un foglio di 2 delle serie dati sincrono di DRAM | Samsung Electronic |
600238 | K4S161622D-TC/L/I/P | 512K x 16Bit x un foglio di 2 delle serie dati sincrono di DRAM | Samsung Electronic |
600239 | K4S161622D-TC/L10 | 512K x 16Bit x un DRAM sincrono delle 2 serie | Samsung Electronic |
600240 | K4S161622D-TC/L55 | 512K x 16Bit x un DRAM sincrono delle 2 serie | Samsung Electronic |
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