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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
823161MGFS48B21222.11 - 2.17 Fet della FASCIA 60W GaAs Del GigahertzMitsubishi Electric Corporation
823162MGFS48V25272,7 - 2,5 Fet della FASCIA 60W GaAs Del GigahertzMitsubishi Electric Corporation
823163MGFX36V071710.7-11.7GHz Fet INTERNAMENTE ABBINATO della FASCIA 4W GaAsMitsubishi Electric Corporation
823164MGFX39V071710.7-11.7GHz Fet Della Fascia 8W Internamente MATCHD GaAsMitsubishi Electric Corporation
823165MGLM111Negativo tensione di alimentazione: -30V; tensione di alimentazione positiva: + 30V; tensione di alimentazione totale: 36V; comparatore di tensione.National Semiconductor
823166MGM3000XVideo modulatore per FM/AM-AudioSiemens
823167MGP11N60ETransistore Bipolare Isolato Del CancelloMotorola
823168MGP11N60E-DPorta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del CancelloON Semiconductor
823169MGP11N60EDSu-tensione BASSA RATED del CIRCUITO CORTOON Semiconductor
823170MGP11N60ED-DTransistore bipolare isolato del cancello con la porta al silicio Anti-Parallela di Aumento-Modo della N-Scanalatura del diodoON Semiconductor
823171MGP14N60ETransistore Bipolare Isolato Del CancelloMotorola
823172MGP14N60E-DPorta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del CancelloON Semiconductor
823173MGP15N35CLAccensione IGBT 15 Ampère, 350 VoltON Semiconductor
823174MGP15N35CL-DAccensione IGBT 15 ampère, 350 volt di N-Scanalatura To-220 e D2PAKON Semiconductor
823175MGP15N38CLN-Scanalatura Internamente Premuta IGBTON Semiconductor
823176MGP15N38CL-DAccensione IGBT 15 ampère, 380 volt di N-Scanalatura To-220 e D2PAKON Semiconductor
823177MGP15N40CLAccensione IGBT 15 Ampère, 410 VoltON Semiconductor
823178MGP15N40CL-DAccensione IGBT 15 ampère, 410 volt di N-Scanalatura To-220 e D2PAKON Semiconductor



823179MGP15N43CLN-Scanalatura Internamente Premuta IGBTON Semiconductor
823180MGP15N43CL-DAccensione IGBT 15 ampère, 430 volt di N-Scanalatura To-220 e D2PAKON Semiconductor
823181MGP15N60UTransistore Bipolare Isolato Del CancelloMotorola
823182MGP15N60U-DPorta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del CancelloON Semiconductor
823183MGP19N35CLAccensione IGBT 19 Ampère, 350 VoltON Semiconductor
823184MGP19N35CL-DAccensione IGBT 19 ampère, 350 volt di N-Scanalatura To-220 e D2PAKON Semiconductor
823185MGP20N14CLInternamente Premuto, N-Scanalatura IGBTMotorola
823186MGP20N14CL-DSMARTDISCRETES Internamente Premuto, N-Scanalatura IGBTON Semiconductor
823187MGP20N35CLSMARTDISCRETES Internamente Premuto, N-Scanalatura IGBTMotorola
823188MGP20N35CL-DSMARTDISCRETES Internamente Premuto, N-Scanalatura IGBTON Semiconductor
823189MGP20N40CLSMARTDISCRETES Internamente Premuto, N-Scanalatura IGBTMotorola
823190MGP20N40CL-DSMARTDISCRETES Internamente Premuto, N-Scanalatura IGBTON Semiconductor
823191MGP20N60UTransistore Bipolare Isolato Del CancelloMotorola
823192MGP20N60U-DPorta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del CancelloON Semiconductor
823193MGP21N60ETransistore Bipolare Isolato Del CancelloMotorola
823194MGP21N60E-DPorta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del CancelloON Semiconductor
823195MGP3006Gigahertz PLL con il bus di I2C e quattro indirizzi del circuito integratoSiemens
823196MGP3006XGigahertz PLL con il bus di I2C e quattro indirizzi del circuito integratoSiemens
823197MGP3006X6Gigahertz PLL con il bus di I2C e quattro indirizzi del circuito integratoSiemens
823198MGP4N60ETransistore Bipolare Isolato Del CancelloMotorola
823199MGP4N60E-DPorta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del CancelloON Semiconductor
823200MGP4N60EDTransistore bipolare isolato del cancello con il diodo Anti-ParalleloON Semiconductor
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