| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 823161 | MGFS48B2122 | 2.11 - 2.17 Fet da FAIXA 60W GaAs Do Gigahertz | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823162 | MGFS48V2527 | 2.7 - 2.5 Fet da FAIXA 60W GaAs Do Gigahertz | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823163 | MGFX36V0717 | 10.7-11.7GHz Fet INTERNAMENTE COMBINADO da FAIXA 4W GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823164 | MGFX39V0717 | 10.7-11.7GHz Fet Da Faixa 8W Internamente MATCHD GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823165 | MGLM111 | Negativo tensão de alimentação: -30V; positivo da tensão de alimentação: + 30V; tensão de alimentação no total: 36V; comparador de tensão. | National Semiconductor |
| 823166 | MGM3000X | Modulador video para FM/AM-Audio | Siemens |
| 823167 | MGP11N60E | Transistor Bipolar Isolado Da Porta | Motorola |
| 823168 | MGP11N60E-D | Porta De Silicone Bipolar Isolada Da Realce-Modalidade Da N-Canaleta Do Transistor Da Porta | ON Semiconductor |
| 823169 | MGP11N60ED | CURTO-CIRCUITO ON-VOLTAGE BAIXO RATED | ON Semiconductor |
| 823170 | MGP11N60ED-D | Transistor bipolar isolado da porta com porta de silicone Anti-Paralela da Realce-Modalidade da N-Canaleta do diodo | ON Semiconductor |
| 823171 | MGP14N60E | Transistor Bipolar Isolado Da Porta | Motorola |
| 823172 | MGP14N60E-D | Porta De Silicone Bipolar Isolada Da Realce-Modalidade Da N-Canaleta Do Transistor Da Porta | ON Semiconductor |
| 823173 | MGP15N35CL | Ignição IGBT 15 Ampères, 350 Volts | ON Semiconductor |
| 823174 | MGP15N35CL-D | Ignição IGBT 15 ampères, 350 volts de N-Canaleta TO-220 e D2PAK | ON Semiconductor |
| 823175 | MGP15N38CL | N-Canaleta Internamente Apertada IGBT | ON Semiconductor |
| 823176 | MGP15N38CL-D | Ignição IGBT 15 ampères, 380 volts de N-Canaleta TO-220 e D2PAK | ON Semiconductor |
| 823177 | MGP15N40CL | Ignição IGBT 15 Ampères, 410 Volts | ON Semiconductor |
| 823178 | MGP15N40CL-D | Ignição IGBT 15 ampères, 410 volts de N-Canaleta TO-220 e D2PAK | ON Semiconductor |
| 823179 | MGP15N43CL | N-Canaleta Internamente Apertada IGBT | ON Semiconductor |
| 823180 | MGP15N43CL-D | Ignição IGBT 15 ampères, 430 volts de N-Canaleta TO-220 e D2PAK | ON Semiconductor |
| 823181 | MGP15N60U | Transistor Bipolar Isolado Da Porta | Motorola |
| 823182 | MGP15N60U-D | Porta De Silicone Bipolar Isolada Da Realce-Modalidade Da N-Canaleta Do Transistor Da Porta | ON Semiconductor |
| 823183 | MGP19N35CL | Ignição IGBT 19 Ampères, 350 Volts | ON Semiconductor |
| 823184 | MGP19N35CL-D | Ignição IGBT 19 ampères, 350 volts de N-Canaleta TO-220 e D2PAK | ON Semiconductor |
| 823185 | MGP20N14CL | Apertado Internamente, N-Canaleta IGBT | Motorola |
| 823186 | MGP20N14CL-D | SMARTDISCRETES Apertado Internamente, N-Canaleta IGBT | ON Semiconductor |
| 823187 | MGP20N35CL | SMARTDISCRETES Apertado Internamente, N-Canaleta IGBT | Motorola |
| 823188 | MGP20N35CL-D | SMARTDISCRETES Apertado Internamente, N-Canaleta IGBT | ON Semiconductor |
| 823189 | MGP20N40CL | SMARTDISCRETES Apertado Internamente, N-Canaleta IGBT | Motorola |
| 823190 | MGP20N40CL-D | SMARTDISCRETES Apertado Internamente, N-Canaleta IGBT | ON Semiconductor |
| 823191 | MGP20N60U | Transistor Bipolar Isolado Da Porta | Motorola |
| 823192 | MGP20N60U-D | Porta De Silicone Bipolar Isolada Da Realce-Modalidade Da N-Canaleta Do Transistor Da Porta | ON Semiconductor |
| 823193 | MGP21N60E | Transistor Bipolar Isolado Da Porta | Motorola |
| 823194 | MGP21N60E-D | Porta De Silicone Bipolar Isolada Da Realce-Modalidade Da N-Canaleta Do Transistor Da Porta | ON Semiconductor |
| 823195 | MGP3006 | Gigahertz PLL com barra-ônibus de I2C e quatro endereços da microplaqueta | Siemens |
| 823196 | MGP3006X | Gigahertz PLL com barra-ônibus de I2C e quatro endereços da microplaqueta | Siemens |
| 823197 | MGP3006X6 | Gigahertz PLL com barra-ônibus de I2C e quatro endereços da microplaqueta | Siemens |
| 823198 | MGP4N60E | Transistor Bipolar Isolado Da Porta | Motorola |
| 823199 | MGP4N60E-D | Porta De Silicone Bipolar Isolada Da Realce-Modalidade Da N-Canaleta Do Transistor Da Porta | ON Semiconductor |
| 823200 | MGP4N60ED | Transistor bipolar isolado da porta com diodo Anti-Paralelo | ON Semiconductor |
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