| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 823161 | MGFS48B2122 | 2.11 - 2.17 Gigahertz BAND60W GaAs Fet | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823162 | MGFS48V2527 | 2.7 - 2.5 Gigahertz BAND60W GaAs Fet | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823163 | MGFX36V0717 | 10.7-11.7GHz BAND4W INNERLICH ZUSAMMENGEBRACHTER GaAs Fet | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823164 | MGFX39V0717 | 10.7-11.7GHz Band 8W Innerlich MATCHD GaAs Fet | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823165 | MGLM111 | Negative Versorgungsspannung: -30 V; positiven Versorgungsspannung: + 30V; Gesamtversorgungsspannung: 36V; Spannungsvergleicher. | National Semiconductor |
| 823166 | MGM3000X | Videomodulator für FM/AM-Audio | Siemens |
| 823167 | MGP11N60E | Isoliergatter-Zweipoliger Transistor | Motorola |
| 823168 | MGP11N60E-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 823169 | MGP11N60ED | KURZSCHLUSS STEUERPFLICHTIGES NIEDRIGES ON-VOLTAGE | ON Semiconductor |
| 823170 | MGP11N60ED-D | Isoliergatter-zweipoliger Transistor mit Anti-Parallelem Diode N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 823171 | MGP14N60E | Isoliergatter-Zweipoliger Transistor | Motorola |
| 823172 | MGP14N60E-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 823173 | MGP15N35CL | Zündung IGBT 15 Ampere, 350 Volt | ON Semiconductor |
| 823174 | MGP15N35CL-D | Zündung IGBT 15 Ampere, 350 Volt N-Führung TO-220 und D2PAK | ON Semiconductor |
| 823175 | MGP15N38CL | Innerlich Festgeklemmte N-Führung IGBT | ON Semiconductor |
| 823176 | MGP15N38CL-D | Zündung IGBT 15 Ampere, 380 Volt N-Führung TO-220 und D2PAK | ON Semiconductor |
| 823177 | MGP15N40CL | Zündung IGBT 15 Ampere, 410 Volt | ON Semiconductor |
| 823178 | MGP15N40CL-D | Zündung IGBT 15 Ampere, 410 Volt N-Führung TO-220 und D2PAK | ON Semiconductor |
| 823179 | MGP15N43CL | Innerlich Festgeklemmte N-Führung IGBT | ON Semiconductor |
| 823180 | MGP15N43CL-D | Zündung IGBT 15 Ampere, 430 Volt N-Führung TO-220 und D2PAK | ON Semiconductor |
| 823181 | MGP15N60U | Isoliergatter-Zweipoliger Transistor | Motorola |
| 823182 | MGP15N60U-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 823183 | MGP19N35CL | Zündung IGBT 19 Ampere, 350 Volt | ON Semiconductor |
| 823184 | MGP19N35CL-D | Zündung IGBT 19 Ampere, 350 Volt N-Führung TO-220 und D2PAK | ON Semiconductor |
| 823185 | MGP20N14CL | Innerlich Festgeklemmt, N-Führung IGBT | Motorola |
| 823186 | MGP20N14CL-D | SMARTDISCRETES Innerlich Festgeklemmt, N-Führung IGBT | ON Semiconductor |
| 823187 | MGP20N35CL | SMARTDISCRETES Innerlich Festgeklemmt, N-Führung IGBT | Motorola |
| 823188 | MGP20N35CL-D | SMARTDISCRETES Innerlich Festgeklemmt, N-Führung IGBT | ON Semiconductor |
| 823189 | MGP20N40CL | SMARTDISCRETES Innerlich Festgeklemmt, N-Führung IGBT | Motorola |
| 823190 | MGP20N40CL-D | SMARTDISCRETES Innerlich Festgeklemmt, N-Führung IGBT | ON Semiconductor |
| 823191 | MGP20N60U | Isoliergatter-Zweipoliger Transistor | Motorola |
| 823192 | MGP20N60U-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 823193 | MGP21N60E | Isoliergatter-Zweipoliger Transistor | Motorola |
| 823194 | MGP21N60E-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 823195 | MGP3006 | Gigahertz PLL mit I2C Bus und vier Span-Adressen | Siemens |
| 823196 | MGP3006X | Gigahertz PLL mit I2C Bus und vier Span-Adressen | Siemens |
| 823197 | MGP3006X6 | Gigahertz PLL mit I2C Bus und vier Span-Adressen | Siemens |
| 823198 | MGP4N60E | Isoliergatter-Zweipoliger Transistor | Motorola |
| 823199 | MGP4N60E-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 823200 | MGP4N60ED | Isoliergatter-zweipoliger Transistor mit Anti-Paralleler Diode | ON Semiconductor |
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