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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1184121T2300F2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 3 mA portão, Vdrom 50 V.General Electric Solid State
1184122T2300M2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 3 mA portão, Vdrom 600 V.General Electric Solid State
1184123T2300N2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 3 mA portão, Vdrom 800 V.General Electric Solid State
1184124T2301TRIAC SENSÍVEIS DO SILICONE DA PORTAGeneral Electric Solid State
1184125T2301A2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 4 mA portão, Vdrom 100 V.General Electric Solid State
1184126T2301B2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 4 mA portão, Vdrom 200 V.General Electric Solid State
1184127T2301D2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 4 mA portão, Vdrom 400 V.General Electric Solid State
1184128T2301F2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 4 mA portão, Vdrom 50 V.General Electric Solid State
1184129T2301M2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 4 mA portão, Vdrom 600 V.General Electric Solid State
1184130T2301NTIRISTORES DO CONTROLE DA FASEetc
1184131T2301N2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 4 mA portão, Vdrom 800 V.General Electric Solid State
1184132T2302TRIAC SENSÍVEIS DO SILICONE DA PORTAGeneral Electric Solid State
1184133T2302A2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 10 mA portão, Vdrom 100 V.General Electric Solid State
1184134T2302B2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 10 mA portão, Vdrom 200 V.General Electric Solid State
1184135T2302D2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 10 mA portão, Vdrom 400 V.General Electric Solid State
1184136T2302F2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 10 mA portão, Vdrom 50 V.General Electric Solid State
1184137T2302M2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 10 mA portão, Vdrom 600 V.General Electric Solid State
1184138T2302N2.5-A triac silício sensível ao portão. Max 10 mA portão, Vdrom 800 V.General Electric Solid State
1184139T2316160AMODALIDADE RÁPIDA da PÁGINA da RAM 16 DINÂMICA de 1024K xTaiwan Memory Technology



1184140T2316160A4.5 a 5.5V; 1.2W; 1024K x 16 Dynamic RAM: Rápido moda PáginaTM Technology
1184141T2316160A-45MODALIDADE RÁPIDA da PÁGINA da RAM 16 DINÂMICA de 1024K xTaiwan Memory Technology
1184142T2316160A-60MODALIDADE RÁPIDA da PÁGINA da RAM 16 DINÂMICA de 1024K xTaiwan Memory Technology
1184143T2316162AMODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 16 de 1024K xTaiwan Memory Technology
1184144T2316162A4.5 a 5.5V; 1.2W; 1024K x 16 Dynamic RAM: moda EDO PáginaTM Technology
1184145T2316162A-45MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 16 de 1024K xTaiwan Memory Technology
1184146T2316162A-50MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 16 de 1024K xTaiwan Memory Technology
1184147T2316162A-60MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 16 de 1024K xTaiwan Memory Technology
1184148T2316405AMODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 4M x 4Taiwan Memory Technology
1184149T2316405A0,5 a 4.6V; 1.0W; 4M x 4 Dynamic RAM: moda EDO PáginaTM Technology
1184150T2316405A-10MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 4M x 4Taiwan Memory Technology
1184151T2316405A-50MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 4M x 4Taiwan Memory Technology
1184152T2316405A-60MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 4M x 4Taiwan Memory Technology
1184153T2316405A-70MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 4M x 4Taiwan Memory Technology
1184154T2316407AMODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 4M x 4Taiwan Memory Technology
1184155T2316407A0,5 a 4.6V; 1.0W; 4M x 4 Dynamic RAM: moda EDO PáginaTM Technology
1184156T2316407A-10MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 4M x 4Taiwan Memory Technology
1184157T2316407A-50MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 4M x 4Taiwan Memory Technology
1184158T2316407A-60MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 4M x 4Taiwan Memory Technology
1184159T2316407A-70MODALIDADE DINÂMICA da PÁGINA do EDO da RAM 4M x 4Taiwan Memory Technology
1184160T2320TRIAC SENSÍVEIS DO SILICONE DA PORTA 2.5-AGeneral Electric Solid State
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