| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1058081 | RN1961FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058082 | RN1962 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058083 | RN1962FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058084 | RN1962FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058085 | RN1963 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058086 | RN1963FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058087 | RN1963FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058088 | RN1964 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058089 | RN1964FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058090 | RN1964FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058091 | RN1965 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058092 | RN1965FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058093 | RN1965FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058094 | RN1966 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058095 | RN1966FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058096 | RN1966FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058097 | RN1967 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058098 | RN1967FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058099 | RN1967FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058100 | RN1968 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058101 | RN1968FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058102 | RN1968FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058103 | RN1969 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058104 | RN1969FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058105 | RN1969FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058106 | RN1970 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058107 | RN1970FE | Commutation épitaxiale de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), circuit d'inverseur, applications de circuit d'andDriver de circuit d'interface. | TOSHIBA |
| 1058108 | RN1970FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058109 | RN1971 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058110 | RN1971FE | Commutation épitaxiale de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), circuit d'inverseur, applications de circuit d'andDriver de circuit d'interface. | TOSHIBA |
| 1058111 | RN1971FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058112 | RN1972FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058113 | RN1973 | Commutation épitaxiale de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), circuit d'inverseur, applications de circuit d'andDriver de circuit d'interface. | TOSHIBA |
| 1058114 | RN1973FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058115 | RN2001 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058116 | RN2002 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058117 | RN2003 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058118 | RN2004 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058119 | RN2005 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058120 | RN2006 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
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