| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 16961 | 1N4148WT | Petit Diode Signal | Fairchild Semiconductor |
| 16962 | 1N4148WT-7 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Diodes |
| 16963 | 1N4148WT-7 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Diodes |
| 16964 | 1N4148WX | Diode À grande vitesse 500mW De Commutation | Micro Commercial Components |
| 16965 | 1N4148WX | 300mA, 75V ultra redresseur de récupération rapide | MCC |
| 16966 | 1N4148_L99Z | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 16967 | 1N4148_NT50A | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 16968 | 1N4148_S62Z | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 16969 | 1N4148_T26R | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 16970 | 1N4148_T50A | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 16971 | 1N4148_T50R | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 16972 | 1N4149 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 16973 | 1N4149 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 16974 | 1N4149 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Honey Technology |
| 16975 | 1N4149 | DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 16976 | 1N4149 | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 16977 | 1N4149 | Données De Diode | National Semiconductor |
| 16978 | 1N4149 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | Semtech |
| 16979 | 1N4149 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 16980 | 1N4149 | 75 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevée | BKC International Electronics |
| 16981 | 1N4149 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 16982 | 1N4149CSM | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | SemeLAB |
| 16983 | 1N4149TR | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 16984 | 1N4149_T50R | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 16985 | 1N4150 | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | National Semiconductor |
| 16986 | 1N4150 | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
| 16987 | 1N4150 | > de diodes; & De Norme de JEDEC; Euro > Standard De Diodes; Type plombé | ROHM |
| 16988 | 1N4150 | Diode Rapide De Commutation | Vishay |
| 16989 | 1N4150 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 16990 | 1N4150 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 16991 | 1N4150 | Diodes De Commutation | Diodes |
| 16992 | 1N4150 | Petites Diodes De Signal | General Semiconductor |
| 16993 | 1N4150 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 16994 | 1N4150 | Petites Silicium-Diodes De Signal | Diotec Elektronische |
| 16995 | 1N4150 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Honey Technology |
| 16996 | 1N4150 | DIODES DE COMMUTATION | Compensated Devices Incorporated |
| 16997 | 1N4150 | DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 16998 | 1N4150 | Hautes diodes de vitesse | Philips |
| 16999 | 1N4150 | DIODE DE SIGNAL | Rectron Semiconductor |
| 17000 | 1N4150 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION | DC Components |
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