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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
253641BCR108L3E6327Transistors de Numérique - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47Infineon
253642BCR108SRangée de transistor de Numérique de silicium de NPN (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit de conducteur)Siemens
253643BCR108STransistor De Numérique De Silicium de NPNInfineon
253644BCR108S E6327Transistors Intégrés Duels d'Af De Résistance; 2xNPN; Types industriels de Standars, Icmax de 100mA; Vceo de 50VInfineon
253645BCR108SE6327Transistors de Numérique - R1 = kOhm 2.2; R2 = 47 kOhm SOT363Infineon
253646BCR108TAF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SC75Infineon
253647BCR108TE6327Transistors De Numérique - R1 = 2,2kOhm; R2 = 47kOhmInfineon
253648BCR108WTransistor de Numérique de silicium de NPN (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit de conducteur)Siemens
253649BCR108WAF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SOT323Infineon
253650BCR108WE6327Transistors de Numérique - kOhm R1=2.2; KOhm R2=47Infineon
253651BCR10CML'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253652BCR10CMVolts Amperes/400-600 Du Triac 10Powerex Power Semiconductors
253653BCR10CM-12Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253654BCR10CM-12Volts Amperes/400-600 Du Triac 10Powerex Power Semiconductors
253655BCR10CM-12LVolts Amperes/400-600 Du Triac 10Powerex Power Semiconductors
253656BCR10CM-8Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253657BCR10CM-8Volts Amperes/400-600 Du Triac 10Powerex Power Semiconductors
253658BCR10CM-8LVolts Amperes/400-600 Du Triac 10Powerex Power Semiconductors
253659BCR10CSModules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation



253660BCR10CSL'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253661BCR10CSTYPE MOYEN DE L'UTILISATION NON-INSULATED DE PUISSANCE,TYPE PLANAIRE DE PASSIVATIONPowerex Power Semiconductors
253662BCR10PMModules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253663BCR10PMTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253664BCR10PMVolts Amperes/400-600 Du Triac 10Powerex Power Semiconductors
253665BCR10PM-12Volts Amperes/400-600 Du Triac 10Powerex Power Semiconductors
253666BCR10PM-12LVolts Amperes/400-600 Du Triac 10Powerex Power Semiconductors
253667BCR10PM-8Volts Amperes/400-600 Du Triac 10Powerex Power Semiconductors
253668BCR10PM-8LVolts Amperes/400-600 Du Triac 10Powerex Power Semiconductors
253669BCR10PNTransistors de Numérique - paquet SOT363Infineon
253670BCR10PNRangée de Numérique Tansistor de silicium de NPN/pnp (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit d'entraînement)Siemens
253671BCR10UMTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE DE VERRE DE PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253672BCR112Transistors de Numérique - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7Infineon
253673BCR112Transistor de Numérique de silicium de NPN (circuit de commutation, inverseur, circuit d'inferface, circuit de conducteur)Siemens
253674BCR112FAF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tsfp-3Infineon
253675BCR112FE6327Transistors de Numérique - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7Infineon
253676BCR112L3AF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tslp-3Infineon
253677BCR112L3E6327Transistors de Numérique - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7Infineon
253678BCR112TAF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SC75Infineon
253679BCR112TE6327Transistors de Numérique - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7Infineon
253680BCR112UTransistor De Numérique De Silicium de NPNInfineon
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