Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
256201 | BD241 | PUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
256202 | BD241 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | TRSYS |
256203 | BD241 | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 55V, 40W. | General Electric Solid State |
256204 | BD241 | 55 V transistor de puissance NPN de silicium | TRANSYS Electronics Limited |
256205 | BD241A | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256206 | BD241A | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256207 | BD241A | TRANSISTORS DE PUISSANCE BAS ÉPITAXIAUX DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
256208 | BD241A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
256209 | BD241A | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256210 | BD241A | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256211 | BD241A | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256212 | BD241A | PUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
256213 | BD241A | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | TRSYS |
256214 | BD241A | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 70V, 40W. | General Electric Solid State |
256215 | BD241A | 70 V transistor de puissance NPN de silicium | TRANSYS Electronics Limited |
256216 | BD241A | NPN silicium du transistor de puissance plastique. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 60 V cc, Vces = 70Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
256217 | BD241ATU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256218 | BD241B | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256219 | BD241B | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256220 | BD241B | TRANSISTORS DE PUISSANCE BAS ÉPITAXIAUX DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
256221 | BD241B | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
256222 | BD241B | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256223 | BD241B | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256224 | BD241B | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256225 | BD241B | PUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
256226 | BD241B | Transistors De Puissance En plastique De Silicium Complémentaire | Motorola |
256227 | BD241B | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE | ON Semiconductor |
256228 | BD241B | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | TRSYS |
256229 | BD241B | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 90V, 40W. | General Electric Solid State |
256230 | BD241B | 90 V transistor de puissance NPN de silicium | TRANSYS Electronics Limited |
256231 | BD241B | Un transistor NPN de puissance NPN plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 80Vdc, 90Vdc Vces = VEB = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
256232 | BD241BFP | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256233 | BD241BFP | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256234 | BD241BFP | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256235 | BD241BTU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256236 | BD241C | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256237 | BD241C | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256238 | BD241C | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
256239 | BD241C | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256240 | BD241C | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
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