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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
256201BD241PUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
256202BD241TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNTRSYS
256203BD241Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 55V, 40W.General Electric Solid State
256204BD24155 V transistor de puissance NPN de siliciumTRANSYS Electronics Limited
256205BD241ATransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256206BD241ATRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256207BD241ATRANSISTORS DE PUISSANCE BAS ÉPITAXIAUX DE SILICIUM DE NPNMicro Electronics
256208BD241ATRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
256209BD241ATRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256210BD241ATRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256211BD241APUISSANCE TRANSISTORS(á, 40w)MOSPEC Semiconductor
256212BD241APUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
256213BD241ATRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNTRSYS
256214BD241ASilicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 70V, 40W.General Electric Solid State
256215BD241A70 V transistor de puissance NPN de siliciumTRANSYS Electronics Limited
256216BD241ANPN silicium du transistor de puissance plastique. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 60 V cc, Vces = 70Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40WUSHA India LTD
256217BD241ATUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256218BD241BTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256219BD241BTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics



256220BD241BTRANSISTORS DE PUISSANCE BAS ÉPITAXIAUX DE SILICIUM DE NPNMicro Electronics
256221BD241BTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
256222BD241BTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256223BD241BTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256224BD241BPUISSANCE TRANSISTORS(á, 40w)MOSPEC Semiconductor
256225BD241BPUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
256226BD241BTransistors De Puissance En plastique De Silicium ComplémentaireMotorola
256227BD241BSILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE TRANSISTORS DE PUISSANCEON Semiconductor
256228BD241BTRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNTRSYS
256229BD241BSilicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 90V, 40W.General Electric Solid State
256230BD241B90 V transistor de puissance NPN de siliciumTRANSYS Electronics Limited
256231BD241BUn transistor NPN de puissance NPN plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 80Vdc, 90Vdc Vces = VEB = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40WUSHA India LTD
256232BD241BFPTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256233BD241BFPTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256234BD241BFPTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256235BD241BTUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256236BD241CTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256237BD241CTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256238BD241CTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
256239BD241CTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256240BD241CTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
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