| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 46081 | 2N4104 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 46082 | 2N4104 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 46083 | 2N4113 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 46084 | 2N4113 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 46085 | 2N4114 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 46086 | 2N4117 | Amplificateur D'Usage universel Du N-Canal JFET | Calogic |
| 46087 | 2N4117 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 46088 | 2N4117 | Impédance d'entrée ultra-N-canal JFET | Linear Systems |
| 46089 | 2N4117A | Fuite Ultra Basse, N-Canal JFETs | Vishay |
| 46090 | 2N4117A | Amplificateur D'Usage universel Du N-Canal JFET | Calogic |
| 46091 | 2N4117A | Amplificateur Ultra Haut Du N-Canal JFET D'Impédance D'Entrée | Linear Systems |
| 46092 | 2N4117A | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 46093 | 2N4118 | Amplificateur D'Usage universel Du N-Canal JFET | Calogic |
| 46094 | 2N4118 | N-canal Ultra-haut JFET d'cImpédance d'cEntrée | Linear Systems |
| 46095 | 2N4118 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 46096 | 2N4118A | Fuite Ultra Basse, N-Canal JFETs | Vishay |
| 46097 | 2N4118A | Amplificateur D'Usage universel Du N-Canal JFET | Calogic |
| 46098 | 2N4118A | Amplificateur Ultra Haut Du N-Canal JFET D'Impédance D'Entrée | Linear Systems |
| 46099 | 2N4118A | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 46100 | 2N4119 | Amplificateur D'Usage universel Du N-Canal JFET | Calogic |
| 46101 | 2N4119 | N-canal Ultra-haut JFET d'cImpédance d'cEntrée | Linear Systems |
| 46102 | 2N4119 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 46103 | 2N4119A | Fuite Ultra Basse, N-Canal JFETs | Vishay |
| 46104 | 2N4119A | Amplificateur D'Usage universel Du N-Canal JFET | Calogic |
| 46105 | 2N4119A | Amplificateur Ultra Haut Du N-Canal JFET D'Impédance D'Entrée | Linear Systems |
| 46106 | 2N4119A | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 46107 | 2N4123 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46108 | 2N4123 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 46109 | 2N4123 | Transistor Tout usage 625mW De Silicium de NPN | Micro Commercial Components |
| 46110 | 2N4123 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 46111 | 2N4123 | Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
| 46112 | 2N4123 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
| 46113 | 2N4123 | Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 30V, 200mA. | General Electric Solid State |
| 46114 | 2N4123 | Ic = 200mA, Vce = transistor de 1.0V | MCC |
| 46115 | 2N4123 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: 30V = VCEO. Tension collecteur-base: 40V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 46116 | 2N4123-D | Silicium Tout usage Des Transistors NPN | ON Semiconductor |
| 46117 | 2N4123BU | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46118 | 2N4123RLRA | Transistor à usage général - NPN | ON Semiconductor |
| 46119 | 2N4123RLRM | Transistor à usage général - NPN | ON Semiconductor |
| 46120 | 2N4123TA | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
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