| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 46121 | 2N4123TAR | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46122 | 2N4123TF | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46123 | 2N4123TFR | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46124 | 2N4124 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46125 | 2N4124 | Petit Transistor De Signal (NPN) | Vishay |
| 46126 | 2N4124 | Petits Transistors De Signal (NPN) | General Semiconductor |
| 46127 | 2N4124 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 46128 | 2N4124 | Transistor d'usage universel de NPN | Philips |
| 46129 | 2N4124 | Transistor Tout usage 625mW De Silicium de NPN | Micro Commercial Components |
| 46130 | 2N4124 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 46131 | 2N4124 | Transistor Tout usage - NPN | ON Semiconductor |
| 46132 | 2N4124 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
| 46133 | 2N4124 | PETIT TRANSISTOR DE SIGNAL DE NPN | TRSYS |
| 46134 | 2N4124 | Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 25V, 200mA. | General Electric Solid State |
| 46135 | 2N4124 | Ic = 200mA, Vce = transistor de 1.0V | MCC |
| 46136 | 2N4124 | 25 V, NPN petit transistor de signal | TRANSYS Electronics Limited |
| 46137 | 2N4124 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: 25V = VCEO. Tension collecteur-base: 30V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 46138 | 2N4124BU | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46139 | 2N4124TA | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46140 | 2N4124TAR | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46141 | 2N4124TF | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46142 | 2N4124TFR | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46143 | 2N4124_J18Z | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46144 | 2N4125 | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46145 | 2N4125 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 46146 | 2N4125 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Samsung Electronic |
| 46147 | 2N4125 | Planar épitaxiale passive transistor de silicium PNP. -30V, 200mA. | General Electric Solid State |
| 46148 | 2N4125 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -30V. Tension collecteur-base: VCBO = -30V. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 46149 | 2N4125BU | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46150 | 2N4125TA | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46151 | 2N4125TAR | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46152 | 2N4125TF | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46153 | 2N4125TFR | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46154 | 2N4126 | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46155 | 2N4126 | Petit Transistor De Signal (PNP) | Vishay |
| 46156 | 2N4126 | Petits Transistors De Signal (PNP) | General Semiconductor |
| 46157 | 2N4126 | Transistor d'usage universel de PNP | Philips |
| 46158 | 2N4126 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 46159 | 2N4126 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Samsung Electronic |
| 46160 | 2N4126 | PETIT TRANSISTOR DE SIGNAL DE PNP | TRSYS |
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