| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567481 | IRF1405PBF | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567482 | IRF1405S | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567483 | IRF1405STRL | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567484 | IRF1405STRR | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567485 | IRF1405Z | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567486 | IRF1405ZL | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567487 | IRF1405ZS | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567488 | IRF1407 | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567489 | IRF1407L | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567490 | IRF1407S | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567491 | IRF140SMD | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
| 567492 | IRF141 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567493 | IRF141 | Puissance MOSFET canal N, 27 A, 60V. | Fairchild Semiconductor |
| 567494 | IRF141 | 28A et 25A, 80V et 100V, 0,077 et 0,100 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567495 | IRF142 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/27/60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567496 | IRF142 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567497 | IRF142 | 28A et 25A, 80V et 100V, 0,077 et 0,100 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567498 | IRF143 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/27/60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567499 | IRF143 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567500 | IRF143 | 28A et 25A, 80V et 100V, 0,077 et 0,100 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567501 | IRF150 | 100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe | International Rectifier |
| 567502 | IRF150 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
| 567503 | IRF150 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567504 | IRF150 | Transistor MOSFET De Puissance De 40A/100V/0,055 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567505 | IRF150 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567506 | IRF150 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
| 567507 | IRF150-153 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567508 | IRF1503 | 30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567509 | IRF1503L | 30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567510 | IRF1503S | 30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567511 | IRF150SMD | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
| 567512 | IRF151 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567513 | IRF151 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567514 | IRF151 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
| 567515 | IRF151 | 33A et 40A, 60V et 100V, 0,055 et 0,08 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567516 | IRF152 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567517 | IRF152 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567518 | IRF152 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
| 567519 | IRF152 | 33A et 40A, 60V et 100V, 0,055 et 0,08 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567520 | IRF153 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
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