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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
567561IRF230-233Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1└/150-200 VFairchild Semiconductor
567562IRF231Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1└/150-200 VFairchild Semiconductor
567563IRF2318.0A et 9.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,4 et 0,6 ohms/N-CanalIntersil
567564IRF231TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
567565IRF231N-canal du transistor Ó effet de champ de puissance Ó mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 9,0 A.General Electric Solid State
567566IRF232Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1└/150-200 VFairchild Semiconductor
567567IRF2328.0A et 9.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,4 et 0,6 ohms/N-CanalIntersil
567568IRF232TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
567569IRF232N-canal du transistor Ó effet de champ de puissance Ó mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
567570IRF233Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1└/150-200 VFairchild Semiconductor
567571IRF2338.0A et 9.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,4 et 0,6 ohms/N-CanalIntersil
567572IRF233TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
567573IRF233N-canal du transistor Ó effet de champ de puissance Ó mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
567574IRF2348.1A et 6.─/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,45 et 0,68 ohms/N-CanalIntersil
567575IRF2358.1A et 6.─/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,45 et 0,68 ohms/N-CanalIntersil
567576IRF2368.1A et 6.─/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,45 et 0,68 ohms/N-CanalIntersil
567577IRF2378.1A et 6.─/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,45 et 0,68 ohms/N-CanalIntersil
567578IRF240200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20ÔeInternational Rectifier



567579IRF240Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal POUR DES APPLICATIONS de HI.relSemeLAB
567580IRF240Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1┼/150-200VFairchild Semiconductor
567581IRF240Transistor MOSFET De Puissance De 1┼/200V/0,180 Ohms/N-CanalIntersil
567582IRF240Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
567583IRF240-243Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1┼/150-200VFairchild Semiconductor
567584IRF240SMDTRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE DE N.channelSemeLAB
567585IRF241Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1┼/150-200VFairchild Semiconductor
567586IRF241Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
567587IRF241N-canal du transistor Ó effet de champ de puissance Ó mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 18A.General Electric Solid State
567588IRF24116A et 18A, 200V et 150V, 0,18 et 0,22 Ohm Ó canal N MOSFET de puissanceIntersil
567589IRF242Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1┼/150-200VFairchild Semiconductor
567590IRF242Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
567591IRF24216A et 18A, 200V et 150V, 0,18 et 0,22 Ohm Ó canal N MOSFET de puissanceIntersil
567592IRF243Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1┼/150-200VFairchild Semiconductor
567593IRF243Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
567594IRF243N-canal du transistor Ó effet de champ de puissance Ó mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 16A.General Electric Solid State
567595IRF24316A et 18A, 200V et 150V, 0,18 et 0,22 Ohm Ó canal N MOSFET de puissanceIntersil
567596IRF2441┬ et 1┴/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,28 et 0,34 ohms/N-CanalIntersil
567597IRF2451┬ et 1┴/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,28 et 0,34 ohms/N-CanalIntersil
567598IRF2461┬ et 1┴/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,28 et 0,34 ohms/N-CanalIntersil
567599IRF2471┬ et 1┴/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,28 et 0,34 ohms/N-CanalIntersil
567600IRF250200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20ÔeInternational Rectifier
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