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IRF512 construit près: |
FETS Verticaux De Puissance Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF510, IRF511, IRF513, |
Téléchargement IRF512 datasheet de Supertex Inc |
pdf 77 kb |
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Puissance MOSFET canal N, 100V, 4.9A | Téléchargement IRF512 datasheet de Harris Semiconductor |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.5A. | Téléchargement IRF512 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 173 kb |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/5,5/60-100V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF510-513, |
Téléchargement IRF512 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 156 kb |
IRF511 | Vue IRF512 à notre catalogue | IRF513 |