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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
NDH833N construit près: |
Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | Téléchargement NDH833N datasheet de National Semiconductor |
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Longueur / hauteur 1,02 mm Largeur 4,55 mm Profondeur 4.06 mm Puissance dissipée 1,8 W Transistor polarité N Canal Courant, Id cont. 7.1 Une tension Vgs th max. 2,7 V Tension Vds max 20 V | Téléchargement NDH833N datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 224 kb |
NDH832P | Vue NDH833N à notre catalogue | NDH834P |