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NDH833N Vorbei Hergestellt: |
N-Führung Verbesserung Modus Fangen Effekt-Transistor auf | Download NDH833N datasheet von National Semiconductor |
PDF 97 kb |
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Länge / Höhe 1,02 mm Breite 4,55 mm Tiefe 4,06 mm Verlustleistung 1,8 W Transistorpolung N Kanal Strom Id Forts. 7,1 A Spannung Vgs th max. 2,7 V Spannung Vds max 20 V | Download NDH833N datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 224 kb |
NDH832P | Ansicht NDH833N zu unserem Katalog | NDH834P |