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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF131 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF130, IRF533, IRF532, IRF531, IRF132, |
Download IRF131 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 185 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 56A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF133, |
Download IRF131 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
 | 12A und 14A, 80V und 100V, 0,16 und 0,23 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Download IRF131 datasheet von Intersil |
pdf 62 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF131 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
| IRF130SMD | Ansicht IRF131 zu unserem Katalog | IRF1310N |